| 講演名 | 1995/10/24 A Low Temperature PECVD Process of Phosphorous Doped Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Phosphorous(P) doped hydrogenated microcrystalline silicon (n^+μC-Si:H) films have been prepared by using hydrogen-diluted plasma enhanced chemical vapor deposition technique. 300mm × 400mm CORNING 7059 glass was used as a substrate. A detailed study of the process parameters such as deposition temperature, degree of hydrogen-dilution, RF-power, and deposition time has been investigated. It is found that microcrystalline phase can be obtained for the temperature between 250℃ and 350℃. The existence of μC-Si:H above a critical RF-power(>300W) suggests that RF-power plays an important role for the formation of μC-Si:H. For the film of 94nm thick deposited at 275℃ and 450W of RF-power, resistivity of 0.07 Ω-㎝ has been obtained which is 3 orders of magnitude lower than normal n^+a-Si:H. The replacement of n^+a-Si:H to heavily P-doped hydrogenated microcrystalline silicon can reduce the metal/a-Si:H contact resistance, but the plasma damage to a-Si:H during n^+uC-Si:H deposition results in the degradation of TFT performance. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | hydrogenated microcrystalline silicon / diluted-hydrogen method / thin film transistor / plasma damage |
| 資料番号 | EID95-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1995/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low Temperature PECVD Process of Phosphorous Doped Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / hydrogenated microcrystalline silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / J.H. Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LCD Develop. Team II, Special Division, Semiconductor Business, SAMSUNG ELECTRONICS Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/10/24 |
| 資料番号 | EID95-81 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |