| 講演名 | 1995/10/24 Low Voltage Driving ZnS:Mn Thin Film Electroluminescent Device using Layered BaTiO_3 Thin Films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In order to prepare low voltage driving TFELD, the layered BaTiO_3 thin films with high performance were used as the lower dielectric layer. For the layered BaTiO_3, the new stacking method using the continuous cooling of the substrate during the deposition of the amorphous layer after the deposition of the polycrystalline layer at higher temperature was introduced. The layered BaTiO_3 thin film showed higher capacitance per unit area and breakdown strength than the double layered BaTiO_3 thin film prepared by the conventional stacking method. It was confirmed that the insulating ability of the single polycrystalline BaTiO_3 thin film highly depended on its thickness. The ZnS:Mn TFELD using the layered BaTiO_3 thin film showed a turn-on voltage of ～50 volts and a saturated brightness of 2500 Cd/m^2, while the device with the single polycrystalline BaTiO_3 thin film did not show stable emission. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | low voltage driving TFELD / ZnS:Mn / new stacking method / layered BaTiO_3 thin film, |
| 資料番号 | EID95-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1995/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Voltage Driving ZnS:Mn Thin Film Electroluminescent Device using Layered BaTiO_3 Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / low voltage driving TFELD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / M.H. Song |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Division of Electronics and Information Technology Korea Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 1995/10/24 |
| 資料番号 | EID95-66 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |