| 講演名 | 1995/10/24 A New Fabrication Method of Silicon Field Emission Cathodes with Sub-halfmicron Gate Apertures , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Silicon field emission cathodes were fabricated using thin-film techniques and 1.2 μm optical photolithography. With two-step reactive ion etching and thermal oxidation for tip sharpening, 1.2 μm height silicon pillars were formed. Gate oxide layer was deposited using an electron-beam evaporator. And then Ti_<0.1> W_<0.9> was sputtered for gate electrodes. As a result, the gate electrodes easily approach the oxidized cathodes. The gate hole diameter is greatly reduced to sub-halfmicron (< 0.5 μm) from the initial mask size (～1.2μm). The I-V characteristics of cathodes show low turn-on voltages (< 55 V) in ultrahigh vacuum (< 3.O × 10^<-7> Torr) and the linearity of Fowler-Nordheim plots. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | field emission cathodes / gate electrode / cathode electrode / turn-on voltage |
| 資料番号 | EID95-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1995/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New Fabrication Method of Silicon Field Emission Cathodes with Sub-halfmicron Gate Apertures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / field emission cathodes |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Sung-Weon Kang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Division, ETRI |
| 発表年月日 | 1995/10/24 |
| 資料番号 | EID95-65 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |