| 講演名 | 1999/2/5 ビススチリルベンゼン誘導体分子分散ポリマーの光電物性 松末 哲征, 宮本 誉, 三村 晋也, 内藤 裕義, 竹嶋 基浩, 川上 春雄, |
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| 抄録(和) | 高い電荷輸送能と強い蛍光を有するビススチリルベンゼン誘導体およびその構造異性体からなる分子分散ポリマーの光電物性を調べた。その結果、正孔ドリフト移動度に関しては、構造異性の効果はそれほど大きくなく、室温での正孔ドリフト移動度は~10^<-5>cm^2/Vsであった。一方、光物性は構造異性の効果を大きく受け、Stokesシフトはパラ異性体が0.09eV、メタ異性体が0.64eV、オルト異性体が0.45eVと大きく異なった。また、光吸収スペクトルの幅と電荷輸送特性から求めたホッピングサイトのエネルギー幅には相関があることを見出した。 |
| 抄録(英) | Photoelectric properties in a bisstyrylbenzene derivative and its isomers molecularly doped in polycarbonate have been studied by the optical absorption, the photoluminescence and the transient photocurrent measurements. The hole drift mobilities of the materials studied here are ~10^<-5>cm^2/Vs room tempetuture, where as the Stokes shifts are 0.09eV, 0.64eV and 0.45eV for para-, meta- and orthoisomers, indicating that the optical properties are much more sensitive to the isomerization. It is found that the width of energetic distribution of hopping sites, determined from the transient photocurrent mesurments, is proportional to that of optical absorption in there materials. |
| キーワード(和) | ビススチリルベンゼン誘導体 / 分子分散ポリマー / 正孔輸送 / 蛍光 |
| キーワード(英) | bisstyrylbenzene derivatives / moleculaly doped polymer / hole transport / photoluminescence |
| 資料番号 | OEM98-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1999/2/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ビススチリルベンゼン誘導体分子分散ポリマーの光電物性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoelectric properties in moleculaly doped polymer of bisstyrylbenzene derivatives/polycarbonate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビススチリルベンゼン誘導体 / bisstyrylbenzene derivatives |
| キーワード(2)（和/英） | 分子分散ポリマー / moleculaly doped polymer |
| キーワード(3)（和/英） | 正孔輸送 / hole transport |
| キーワード(4)（和/英） | 蛍光 / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松末 哲征 / N. Matsusue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 工学部 電子物理工学科 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮本 誉 / H. Miyamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 工学部 電子物理工学科 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三村 晋也 / S. Mimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 工学部 電子物理工学科 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / H. Naito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 工学部 電子物理工学科 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹嶋 基浩 / M. Takeshima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士電機総合研究所 Fuji Electric Corporate Researth and Development, LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川上 春雄 / H. Kawakami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士電機(株) Fuji Electric Co., LTD. |
| 発表年月日 | 1999/2/5 |
| 資料番号 | OEM98-120 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 580 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |