| 講演名 | 1998/7/24 次世代超高集積DRAMの為の新しい三次元メモリアレイアーキテクチャ 遠藤 哲郎, 神明 克尚, 桜庭 弘, 舛岡 富士雄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 三次元メモリアレイアーキテクチャは二次元アレイマトリクス上に、複数のセルを垂直方向に直列に積み上げることにより実現される。同一デザインルールを用い、かつ、1本のビット線上にあるメモリセル数が1K個の場合を考えると、本提案のアーキテクチャを用いたDRAMにおける全ビットライン負荷容量は、従来のDRAMの約37%にまで削減することができる。さらに、本提案のアーキテクチャを用いた1M-bit DRAMにおいては、同一デザインルールの比較において、そのメモリアレイ面積を従来のDRAMの約11.5%まで縮小することが可能である。以上の事より、本論文は、本提案の三次元メモリアレイアーキテクチャの優位性について明らかにする。 |
| 抄録(英) | Three dimensional(3D)memory array architecture is realized by stacking several cells in series vertically up on each cell which is located in two dimensional(2D)array matrix.Total bit-line capacitance of this proposed architecture's DRAM is suppressed to about 37% of normal DRAM, when one bit-line has 1K-bit cells and the same design rules are used.Moreover, array area of 1M-bit DRAM using the proposed architecture, is reduced to above 11.5% of normal DRAM using the same design rules.By describing above analyses, the advantages of this proposed 3D memory array architecture will be cleared. |
| キーワード(和) | 三次元メモリ / ビットライン負荷容量 / アレイ面積 / メモリアレイアーキテクチャ |
| キーワード(英) | three dimensional(3D)memory / memory array architecture / Stacked-SGT / DRAM / SGT / bit-line capacitance |
| 資料番号 | SDM98-113,ICD98-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 次世代超高集積DRAMの為の新しい三次元メモリアレイアーキテクチャ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New Three Dimensional (3D) Memory Array Architecture For Future Ultra High Density DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 三次元メモリ / three dimensional(3D)memory |
| キーワード(2)（和/英） | ビットライン負荷容量 / memory array architecture |
| キーワード(3)（和/英） | アレイ面積 / Stacked-SGT |
| キーワード(4)（和/英） | メモリアレイアーキテクチャ / DRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神明 克尚 / Katsuhisa Shinmei |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桜庭 弘 / Hiroshi Sakuraba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 舛岡 富士雄 / Fujio Masuoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-113,ICD98-112 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |