| 講演名 | 1998/7/24 ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス 小田 俊理, アミット ダッタ, |
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| 抄録(和) | 将来の超低消費電力デバイス、超高集積デバイスとして単電子デバイスへの期待が高まっている。室温動作のためには、数nmの微細構造を形成する必要がある。シランガスのプラズマ分解によりナノクリスタルシリコン量子ドットを形成し、微細構造電極を用いて電気特性を評価した結果を述べる。 |
| 抄録(英) | Single-electron devices are promising candidates for future ultralarge-scale integrated devices, since they can control electron tunneling events which are associated with nanometer scale devices using Coulomb blockade and with extremely low power dissipation.We describe fabrication of monodispersed nanocrystalline silicon(nc-Si)by plasma processes and its electrical properties, followed by discussion for possible application for single-electron devices. |
| キーワード(和) | ナノクリスタルシリコン / 量子ドット / 単電子デバイス / プラズマCVD |
| キーワード(英) | Nanocrystalline silicon / quantum dots / single electron devices / plasma CVD |
| 資料番号 | SDM98-108,ICD98-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single Electron Devices Based on Nanocrystalline Silicon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノクリスタルシリコン / Nanocrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dots |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子デバイス / single electron devices |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマCVD / plasma CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田 俊理 / Shunri Oda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アミット ダッタ / Dutta Amit |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-108,ICD98-107 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |