| 講演名 | 1998/7/24 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM 山田 淳一, 三輪 達, 小池 洋紀, 豊島 秀雄, |
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| 抄録(和) | 従来の1T/1C型FeRAMの強誘電体特性劣化による動作不良問題を解決するため, 自己参照型読み出し方式を開発した.1T/1C型FeRAMでは読み出しの際にリファレンス電圧を必要とする.従来の1T/1C型FeRAMでは, リファレンス電圧はリファレンスセルにより生成されていたが, 本方式では同一メモリセルを2回アクセスすることで, メモリセル自身がリファレンス電圧を生成する.このような方式により, 強誘電体特性が劣化してビット線読み出し電圧が変化しても, 自動的に適切なリファレンス電圧を生成することができ, 正しい読み出し動作が実現できる.本方式を用いたFeRAMを試作・評価した結果, 本方式の有効性が実証された. |
| 抄録(英) | We proposed here a self-reference read scheme for use with 1T/1C FeRAMs. It is able to overcome the reference voltage problem faced by conventional 1T/1C FeRAMs without the use of any reference cells. The proposed scheme employs a memory cell that is accessed twice, and it uses this cell to generate a reference voltage. This self-generated reference voltage is automatically kept between read bit line voltages, which correspond stored data("1"and"0"). We have designed and fabricated a test device, and confirmed the viability of the read scheme. |
| キーワード(和) | 1T/1C / FeRAM / 強誘電体 / 自己参照型 / リファレンス電圧 |
| キーワード(英) | 1T/1C / FeRAM / ferroelectric / self-reference / reference voltage |
| 資料番号 | SDM98-107,ICD98-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Self-Reference Read Scheme for a 1T/1C FeRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 1T/1C / 1T/1C |
| キーワード(2)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(4)（和/英） | 自己参照型 / self-reference |
| キーワード(5)（和/英） | リファレンス電圧 / reference voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 淳一 / Junichi Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 達 / Tohru Miwa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小池 洋紀 / Hiroki Koike |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 豊島 秀雄 / Hideo Toyoshima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-107,ICD98-106 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |