| 講演名 | 1998/7/24 A Low Operating Voltage(3V)Metal-Ferroelectric-Semiconductor(MFS)FET's Using LiNbO_3/Si(100)Structures For Nonvolatile Memory Application , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | N-channel metal-ferroelectric-semiconductor field-effect-transistors(MFSFET's)by using rapid thermal annealed LiNbO_3/Si(100)structures were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations of the MFSFET's. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region of the fabricated FET were 600 cm^2/V・s and 0.16 mS/mm, respectively.The drain current of the "on"state was more than 4 orders of magnitude larger than the "off"state current at the same "read"gate voltage of 0.5V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as ±3V, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ferroelectric film / LiNbO_3/Si(100)structure / MFSFET / nonvolatile memory / rapid thermal annealing |
| 資料番号 | SDM98-106,ICD98-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | KOR |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low Operating Voltage(3V)Metal-Ferroelectric-Semiconductor(MFS)FET's Using LiNbO_3/Si(100)Structures For Nonvolatile Memory Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ferroelectric film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kwang-Ho Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University, |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-106,ICD98-105 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |