| 講演名 | 1998/7/24 MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長 今田 将吾, 正力 重仁, 徳光 永輔, 石原 宏, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシー(MBE)法を用いて、強誘電体YMnO_3薄膜をSi(111)基板上へエピタキシャル成長した。この際、バッファ層としてY_2O_3を用いた。RHEEDによるその場観察により、Y_2O_3とYMnO_3とがエピタキシャル成長していることを確認した。また、X線回析測定結果により、YMnO_3のロッキングカーブ半値幅が、1.5°と比較的良好なYMnO_3膜がSi基板上に得られた。さらに、Al/Y_2O_3/YMnO_3/Si(111)構造のC-V特性では、YMnO_3の強誘電性を起因とする0.3Vのメモリウインドウを確認した。 |
| 抄録(英) | Ferroelectric YMnO_3 thin films are grown on Si(111) substrates using Y_2O_3 buffer layers by molecular beam epitaxy(MBE). It is shown by the reflection high-energy electron diffraction(RHEED)analyses that both Y_2O_3 and YMnO_3 films are epitaxially grown on Si substrates. X-ray rocking curve measurements also show that the best FWHM(full width at half maximum)value for YMnO_3 films is 1.5゜. It is demonstrated that, C-V characteristics of Al/YMnO_3/Y_20_3/Si structures indicate the ferroelectric properties of YMnO_3 films with a memory window of 0.3V. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / Y_2O_3 / YMnO_3 / 分子線エピタキシー / エピタキシャル成長 / Si |
| キーワード(英) | ferroelectric / Y_2O_3 / YMnO_3 / molecular beam epitaxy / epitaxial growth / Si |
| 資料番号 | SDM98-103,ICD98-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of ferroelectric YMnO_3 thin films on Si(111)substrates by MBE method. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | Y_2O_3 / Y_2O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | YMnO_3 / YMnO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(6)（和/英） | Si / Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今田 将吾 / Shogo Imada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 正力 重仁 / Shigeto Shouriki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石原 宏 / Hiroshi Ishiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-103,ICD98-102 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |