| 講演名 | 1998/7/24 Effect of SOG(Spin on Glass)on formation of PbZr_0.52Ti_0.48O_3 for Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS) structure , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We proposed SOG as the buffer layer for MFIS structure and investigated the effect of SOG on formation of PZT.The formed PZT on SOG had a smooth surface morphology and the perovskite phase though the annealing temperature of PZT was low as the 450℃ and the crystalline property of SOG was amorphous.The electric characteristics of MFIS structure with Pt/PZT/SOG/Si were obtained the memory window in the capacitance-voltage curve was about 2.5V and the leakage current density was measured below 5×10^-7A/cm^2 at 15V(500kV/cm).And the P-E characteristics of PZT/SOG capacitors were so good. P_r and E_c were 26μC/cm^2 and 60kV/cm, respectively. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | PZT / MFIS structure / buffer layer / SOG / planarization / low temperature process |
| 資料番号 | SDM98-102,ICD98-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | KOR |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of SOG(Spin on Glass)on formation of PbZr_0.52Ti_0.48O_3 for Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS) structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / PZT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yeon-Hwa Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept.of Electronic Engineering, The University of Seoul |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-102,ICD98-101 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |