| 講演名 | 1998/7/24 Sr_2Bi_2TaO_9薄膜の成膜におけるゾルーゲル法の利点 澤田 佳宏, 橋本 晃, 小岩 一郎, 加藤 博代, 金原 隆雄, 逢坂 哲彌, |
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| 抄録(和) | 近年、SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜が膜疲労の起こらない強誘電体薄膜材料として注目を浴び活発に研究され始めた。この薄膜の成膜方法は有機金属分解(MOD)法が主流になっている。本報告では、我々が独自に開発した加水分解型ゾル-ゲル塗布液と、この塗布液から成膜したSBT薄膜のプロセス上の利点について紹介する。 |
| 抄録(英) | In recent years, SrBi_2Ta_2O_9(SBT)thin films have been receiving attention as fatiguefree ferroelectric materials. Research has become quite active in this area. The metal organic decomposition(MOD) method is principally used to form those thin films. This article presents an originally developed hydrolyzed sol-gel coating solution and discusses the advantages of the SBT thin film forming process. |
| キーワード(和) | SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / 加水分解 / ゾル-ゲル法 / メタロキサン結合 |
| キーワード(英) | SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / hydrolysis / sol-gel method / metalloxane bond |
| 資料番号 | SDM98-101,ICD98-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Sr_2Bi_2TaO_9薄膜の成膜におけるゾルーゲル法の利点 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Advantage of Sol-Gel Method in forming Sr_2Bi_2TaO_9 Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / SrBi_2Ta_2O_9(SBT) |
| キーワード(2)（和/英） | 加水分解 / hydrolysis |
| キーワード(3)（和/英） | ゾル-ゲル法 / sol-gel method |
| キーワード(4)（和/英） | メタロキサン結合 / metalloxane bond |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤田 佳宏 / Yoshihiro Sawada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京応化工業株式会社開発本部特定研究一部 Specialty Development Division 1, Research & Development Department, Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋本 晃 / Akira Hashimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京応化工業株式会社開発本部特定研究一部 Specialty Development Division 1, Research & Development Department, Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小岩 一郎 / Ichiro Koiwa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research & Development Group, Oki Electric Industry Co. Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 博代 / Hiroyo Kato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research & Development Group, Oki Electric Industry Co. Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金原 隆雄 / Takao Kanehara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research & Development Group, Oki Electric lndustry Co. Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 逢坂 哲彌 / Tetsuya Osaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-101,ICD98-100 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |