| 講演名 | 1998/7/24 白金電極の配向性がゾル・ゲル法により作製したSrBi_2Ta_2O_9薄膜特性に与える影響 小岩 一郎, 加藤 博代, 金原 隆雄, 橋本 晃, 澤田 佳宏, 一ノ瀬 昇, 逢坂 哲彌, |
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| 抄録(和) | 白金電極を用いても分極反転による膜疲労が生じない材料としてBi層状構造を有するSrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜の研究が活発に進められている。本研究においては、異なる配向性を有する白金電極の上に我々が独自に開発したゾル・ゲル法によるSBT薄膜を形成し、電極の配向性がSBT薄膜の膜特性に与える影響を検討した。(111)と(200)面配向の白金電極を酸素雰囲気で750℃30分の熱処理を行うと(111)面の強度が高まる事が明らかになった。しかし、白金電極の配向性がSBT薄膜の特性に与える影響は小さい事が明らかとなった。また、SBT薄膜を白金電極上に形成することにより、白金の熱処理変化は抑制されることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | SrBi_2Ta_2O_9(SBT)thin films are drawing attention as fatigue-free materials. We have prepared SBT films using our original sol-gel method and studied effects of Pt electrode crystal-orientation on SBT properties. Peak intensities of the Pt(111)plane were increased by annealing at 750℃ for 30min in an O_2 atmosphere and those of Pt(200)plane decreased.Orientation changes of Pt electrode by annealing were different for the types of Pt electrode.Effects of Pt electrode orientation on SBT film properties are very weak, scarcely affecting either structure or electrical properties. Formation of SBT films on Pt electrodes suppressed the orientation change of Pt electrodes by annealing. |
| キーワード(和) | SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜 / ゾル・ゲル法 / 白金電極 / 配向性 / 強誘電特性 / 熱処理変化 |
| キーワード(英) | SrBi_2Ta_2O_9 thin film / Sol-Gel method / Pt electrode / Crystal orientation / Ferroelectric properties / Heat treatment change |
| 資料番号 | SDM98-100,ICD98-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 白金電極の配向性がゾル・ゲル法により作製したSrBi_2Ta_2O_9薄膜特性に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Pt Electrode Orientation on SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜 / SrBi_2Ta_2O_9 thin film |
| キーワード(2)（和/英） | ゾル・ゲル法 / Sol-Gel method |
| キーワード(3)（和/英） | 白金電極 / Pt electrode |
| キーワード(4)（和/英） | 配向性 / Crystal orientation |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電特性 / Ferroelectric properties |
| キーワード(6)（和/英） | 熱処理変化 / Heat treatment change |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小岩 一郎 / Ichiro Koiwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research and Development Group, Oki Electric Industry Co.Ltd., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 博代 / Hiroyo Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research and Development Group, Oki Electric Industry Co.Ltd., |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金原 隆雄 / Takao Kanehara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Research and Development Group, Oki Electric Industry Co.Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 晃 / Akira Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京応化工業株式会社開発本部特定研究一部 Specialty Development Division 1, Research & Development Department, Tokyo Ohka Kogyo Co.Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 澤田 佳宏 / Yoshihiro Sawada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京応化工業株式会社開発本部特定研究一部 Specialty Development Division 1, Research & Development Department, Tokyo Ohka Kogyo Co.Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 一ノ瀬 昇 / Noboru Ichinose |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University, |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 逢坂 哲彌 / Tetsuya Osaka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University, |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-100,ICD98-99 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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