| 講演名 | 1998/7/24 不純物注入によるWSix単層ゲート電極の仕事関数制御 小松 祐司, 宮沢 芳宏, |
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| 抄録(和) | タングステンシリサイド(WSix)を単層でゲート電極に用い、不純物をドープする事により、その仕事関数を制御する検討を行った。不純物をWSixにイオン注入にて導入し、仕事関数のドーズ依存性を調べ、5e15 cm-2のドーズでSimid-gap付近で+-0.3V程度仕事関数が制御出来る事を確認した。この手法を用いることにより、チャネルの不純物によらないMOSトランジスターのVth制御が可能となる。 |
| 抄録(英) | A method for controlling work function has been investigated using doped Tungsten Silicide(WSix)as a gate material. Impurity was doped into the WSix gate with ion implantation and the work function of WSix was observed to be well controlled in the range of about +-0.3V around the Si mid-gap with the ion dose up to 5e15cm-2.This technology makes it possible to control MOS transistor Vth without channel impurity dose adjustment. |
| キーワード(和) | ゲート / 仕事関数 / WSix / 不純物 / Vth |
| キーワード(英) | gate electrode / work function / WSix / impurity / Vth |
| 資料番号 | SDM98-96,ICD98-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 不純物注入によるWSix単層ゲート電極の仕事関数制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Work Function Control Method of WSix Gate Electrode with Impurity Ion Implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート / gate electrode |
| キーワード(2)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| キーワード(3)（和/英） | WSix / WSix |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物 / impurity |
| キーワード(5)（和/英） | Vth / Vth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小松 祐司 / hiroshi Komatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタカンパニー超LSI研究所 ULSI R&D Labs., Semiconductor Co., Sony Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮沢 芳宏 / Yoshihiro Miyazawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタカンパニー超LSI研究所 ULSI R&D Labs., Semiconductor Co., Sony Corp. |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-96,ICD98-95 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |