| 講演名 | 1998/7/24 A Study on Junction Profile near Si/Oxide Interface due to Transient Enhanced Diffusion Effect in MOSFET , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Source/drain junction profile of MOSFET with trench isolation was studied by using process simulation with TED model.It was observed that the junction depth near the Si/oxide interface is much shallower than that of the bulk region.The origin of the shallow junction formation near the interface is related to TED caused by source/drain implantation damage.The shallow junction was formed due to the counter doping by B pile-up in NMOS but it was formed due to the retardation of B diffusion and B segregation in PMOS.The junction leakage for MOSFET with N_2O annealed interface was reduced and this result was well determined by simulation result. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Si/Oxide Interface / Transient Enhanced Diffusion / Interstitial / Junction Leakage |
| 資料番号 | SDM98-94,ICD98-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | KOR |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Junction Profile near Si/Oxide Interface due to Transient Enhanced Diffusion Effect in MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Si/Oxide Interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jeonghwan Son |
| 第 1 著者 所属（和/英） | R&D Division, LG Semicon Co. Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-94,ICD98-93 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |