| 講演名 | 1998/7/24 UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成 寺本 章伸, 大野 吉和, 三好 寛和, |
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| 抄録(和) | ウェハ表面にUV光を照射しながらドライO_2雰囲気中において酸化(UV-O_2酸化)を行うと、UV光を照射しない通常のドライ酸化と比較して、TDDB特性、ストレス誘起電流、ホールトラップ特性において優れていることを見出した。また、eUV照射下のドライ酸化法では、酸化温度が600℃においても信頼性の高いゲート酸化膜が形成できることがわかった。このことは、高信頼のゲート酸化膜をMOSFETのチャネルの不純物プロファイルを変化させない低温で形成できることを示している。 |
| 抄録(英) | We have developed and evaluated SiO_2 films formed in a dry oxygen ambient at 600-900℃ under ultraviolet irradiation (UV-O_2 oxidation).It has been found that the TDDB, stress induced leakage current and the hole-trapping characteristics of SiO_2 films formed by the UV-O_2 oxidation at 900℃, are superior to those formed by the conventional dry oxidation.The TDDB lifetime of the SiO_2 films formed by the UV-O_2 oxidation at 600℃ is also longer than that formed by the conventional dry oxidation at 900℃ and wet oxidation at 600℃.These facts indicate that the highly reliable gate oxide is realized by the UV-O_2 oxidation.The UV-O_2 oxidation.technology is very useful for the production of future devices which require low-temperature processing. |
| キーワード(和) | シリコン酸化膜 / 紫外線 / 低温酸化 / 経時絶縁破壊 / ストレス誘起電流 / ホールトラップ |
| キーワード(英) | silicon dioxide / ultraviolet rays / low temperature oxidation / TDDB / SILC / hole trap |
| 資料番号 | SDM98-93,ICD98-92 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Oxide Formation at Low Temperature using UV-O_2 Oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸化膜 / silicon dioxide |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線 / ultraviolet rays |
| キーワード(3)（和/英） | 低温酸化 / low temperature oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 経時絶縁破壊 / TDDB |
| キーワード(5)（和/英） | ストレス誘起電流 / SILC |
| キーワード(6)（和/英） | ホールトラップ / hole trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / A. Teramoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大野 吉和 / Y. Ohno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三好 寛和 / H. Miyoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター Mitsubishi Electric Corporation, ULSI Development Center |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-93,ICD98-92 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |