| 講演名 | 1998/7/24 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析 森泉 和也, 二山 拓也, 植田 康之, 冬木 隆, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | 酸素活性種を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を制御性良く低温で形成することができた。形成されたSiO_2膜の電子物性を電流/電圧、ならびに容量/電圧特性により詳細に評価した。トンネル伝導電流を解析することにより、酸素活性種を用いて形成されたSi/SiO_2界面は、高温で形成された熱酸化膜と同程度の高品位特性を有することが明らかになった。過度放電電流法により、膜中電子トラップのエネルギー準位ならびに空間分布を定量的に評価した結果について議論する。さらに、MOSFETのゲート酸化膜として適用した実験結果について報告する。 |
| 抄録(英) | A novel technique of low-temperature oxidation using activated oxygen species to control SiO_2 nm-thickness was developed.Electronic properties of formed SiO_2 were analyzed in detail using current/voltage and capacitance/voltage characteristics.Observed tunneling current showed high-quality interface formation as in nm-thick thermal oxides formed at high temperatures.The energy level and spatial distribution of electron traps in the films were revealed quantitatively by the discharge current transient spectroscopy.The feasibility of grown SiO_2 films for gate oxides of MOSFETs was also demonstrated. |
| キーワード(和) | 酸素活性種 / 極薄SiO_2膜 / トンネル伝導 / 過度放電電流法 / 膜中電子トラップ |
| キーワード(英) | activated oxygen / nm-thickness SiO_2 / tunneling current / DCTS / electron traps |
| 資料番号 | SDM98-92,ICD98-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of nm-thick SiO_2 at Low Temperatures by Activated Oxygen and Its Trap Analysis by Transient Discharge Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸素活性種 / activated oxygen |
| キーワード(2)（和/英） | 極薄SiO_2膜 / nm-thickness SiO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル伝導 / tunneling current |
| キーワード(4)（和/英） | 過度放電電流法 / DCTS |
| キーワード(5)（和/英） | 膜中電子トラップ / electron traps |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森泉 和也 / K. Moriizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 二山 拓也 / T. Futatsuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 植田 康之 / Y. Ueda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T. Fuyuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, |
| 発表年月日 | 1998/7/24 |
| 資料番号 | SDM98-92,ICD98-91 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |