| 講演名 | 1994/5/19 Al-Si-Cu半導体超LSI電極スパッタリング膜の〈111〉結晶軸配向性 奥田 智久, 品田 清隆, 原 徹, 木野 幸浩, 佐藤 貴久, 堀 俊彦, 長野 昌三, 上田 忠雄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | MOS LSIの配線に広く用いられるAl-1.0%Si-0.5%Cu膜のエレクトロマイグレーション特性を改善するには、粒径の制御とともに(111)に配向した膜の堆積が必要とされている。この膜の通常のX線回折測定では、Al(111)のスペクトルのみが検出され良好な膜と考えれて来た。本報告では新たにイメージプレーティング法薄膜X線回折測定によりこのAl配向面の精密な測定を行った。この測定からX線入射角度が13゜でイメージプレーティングのAl(111)のラウエスポットの強度が最大となり、Al(111)面が特定の方向ではなく任意の方向に16゜傾斜していることがこの測定から明らかになった。この配向の傾きの原因は膜の堆積の初期に粒径が膜の1, 10の(0.12μm)のCuリッチ層が核生成するためと結論できた。 |
| 抄録(英) | It has been strongly requested strongly(111)oriented Al-Si-Cu layer to achieve acceptable electromigration performance in the application of this layer to MOS LSI interconnection.Therefore, orientation of Al-Si-Cu layer is studied in this paper.Only a(111) peak is observed in the layer conventionally used in VLSI by conventional X-ray diffraction measurement.When the measurement is performed by newly developed glancing angle X-ray diffraction image plating technique,however,a 16゜ misoriented Laue pattern can be observed for this layer.This misorientation form the(111)plane is due to the formation of Cu rich Allayer at the first stage of the deposition.Nucleation of much smaller grained layer(grain size: nucleated layer:0.12μm,steady layer:1.1μm)leads to this misorient ation. |
| キーワード(和) | アルミニウム / Al配線層 / グレイン配向 / X線回折 / Cu濃度分布 |
| キーワード(英) | Aluminum / Interconnection layer / Grain orientation / X-ray diffraction / Cu distribution |
| 資料番号 | CPM94-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1994/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al-Si-Cu半導体超LSI電極スパッタリング膜の〈111〉結晶軸配向性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Misorientation of Al-Si-Cu layers for VLSI interconnection from Al(111) plane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アルミニウム / Aluminum |
| キーワード(2)（和/英） | Al配線層 / Interconnection layer |
| キーワード(3)（和/英） | グレイン配向 / Grain orientation |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / X-ray diffraction |
| キーワード(5)（和/英） | Cu濃度分布 / Cu distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥田 智久 / Tomohisa Okuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部 Department of Electrical Engineering,College of Engineering,Hosei university |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 品田 清隆 / Kiyotaka Shinada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部 Department of Electrical Engineering,College of Engineering,Hosei university |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 原 徹 / Tohru Hara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部 Department of Electrical Engineering,College of Engineering,Hosei university |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木野 幸浩 / Yukihiro Kino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 理学電機X線研究所 Rigaku dennki X-ray laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 貴久 / Takahisa Satoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 理学電機X線研究所 Rigakudennki X-ray Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 堀 俊彦 / Toshihiko Hori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 理学電機X線研究所 Rigakudennki X-ray Laboratory |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 長野 昌三 / Shozo Ngano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱化成総合研究所 Mitubishi chemical Centoral research laboratory |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上田 忠雄 / Tadao Ueda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱化成総合研究所 Mitubishi chemical Centoral research laboratory |
| 発表年月日 | 1994/5/19 |
| 資料番号 | CPM94-4 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 39 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |