| 講演名 | 2001/12/13 LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(<特集テーマ>:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般) 前田 一史, 古田 正昭, 橋川 直人, 廣瀬 幸範, 福本 晃二, 益子 洋治, |
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| 抄録(和) | 微細化、多層配線化が進むLSIにおいて、トランジスタなどのシリコン基板近傍の構造解析を行うときに、デバイス裏面からの解析法が有効である。我々は、裏面から観察した異常箇所をさらに詳細に解析するため、マイクロサンプリング法やピックアップ法を利用して裏面から透過電子顕微鏡(TEM)試料を抽出することを試みた。その結果、従来手法では困難であったデバイス裏面から微小領域のTEM試料作製が可能となり、微小異物等の断面構造解析や成分分析をナノメートルオーダーで詳細に行えるようになった。 |
| 抄録(英) | It is powerful technique to inspect the backside of chips when we analyze the structure in the vicinity of the silicon substrate in advanced ULSIs. We tried extracting the Transmission Electron Microscope) TEM samples from the backside using micro-sampling technique or pick-up method to analyze abnomal points observed from the backside in more detail. In results, TEM sample preparation in specific small area in chips can be attained from the backside, which is difficult in using conventional methods.This technique gives cross sectional configurations and element maps of abnormal points in nano-meter order. Therefore we can get to investigate the causes of the failures more exactly. |
| キーワード(和) | 透過電子顕微鏡 / 裏面解析 / マイクロサンプリング / ピックアップ / 多層配線 |
| キーワード(英) | Transmission Electron Microscope / backside analysis / micro-sampling / pick-up method / multi-layer interconnects |
| 資料番号 | CPM-118,ICD-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/12/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(<特集テーマ>:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Failure analysis technique by extracting the TEM samples from the backside of LSI chips |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / Transmission Electron Microscope |
| キーワード(2)（和/英） | 裏面解析 / backside analysis |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロサンプリング / micro-sampling |
| キーワード(4)（和/英） | ピックアップ / pick-up method |
| キーワード(5)（和/英） | 多層配線 / multi-layer interconnects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 一史 / H. Maeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古田 正昭 / M. Furuta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 Ryouden Semiconductor System Engineering Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋川 直人 / M. Hashikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 幸範 / Y. Hirose |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福本 晃二 / K. Fukumoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 益子 洋治 / Y. Mashiko |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2001/12/13 |
| 資料番号 | CPM-118,ICD-170 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 518 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |