| 講演名 | 2001/8/27 電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御 工藤 一浩, 飯塚 正明, 中村 雅一, |
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| 抄録(和) | TMTSF-TCNQ電荷移動錯体結晶は分子間の電荷移動により金属的伝導性を示し、錯体分子は大きな双極子モーメントを持つと考えられる。TMTSF-TCNQを用いた電界効果トランジスタ(FET)構造素子において、蒸着膜作製中の成長温度とゲート電圧印加による素子特性の制御について調べた。その結果、FET特性は成長時の基板温度とゲート電圧印加によって大きく変化し、p型n型の制御およびエンハンスメント型、デプレッション型を制御できる可能性が示された。 |
| 抄録(英) | TMTSF-TCNQ charge transfer complex shows a metallic conductivity and has a large dipole moment due to the charge transfer between the molecules. We have investigated the characteristics of TMTSF-TCNQ FET (field effect transistors) by controlling growth temperature and applying the gate voltage during the deposition. The FET characteristics strongly depend on the growth temperature and applying gate voltage. The results indicate that p- and n-type conduction, and enhancement and depletion mode can be controlled by choosing the growth condition of the electric field assisted deposition. |
| キーワード(和) | 電荷移動錯体 / TMTSF / TCNQ / 電界効果トランジスタ / 電界印加蒸着法 |
| キーワード(英) | charge transfer complex / TMTSF / TCNQ / field effect transistor / electric field assisted deposition |
| 資料番号 | OME2001-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2001/8/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of FET Characteristics Using Charge Transfer Complex |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電荷移動錯体 / charge transfer complex |
| キーワード(2)（和/英） | TMTSF / TMTSF |
| キーワード(3)（和/英） | TCNQ / TCNQ |
| キーワード(4)（和/英） | 電界効果トランジスタ / field effect transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 電界印加蒸着法 / electric field assisted deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯塚 正明 / Masaaki Iizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2001/8/27 |
| 資料番号 | OME2001-57 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |