講演名 2001/5/25
ローダミン色素分子膜を用いた単電子素子の特性解析
野口 裕, 橋詰 和史, 岩本 光正, 久保田 徹, 益子 信郎,
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抄録(和) 色素ローダミンを分子の中心に持つローダミンデンドリマー(Rh-G2)を微小電極としてポリイミド(PI)絶縁層中に混合し、有機単電子トンネル素子を作製した。その電流-電圧特性を35K以下の極低温において測定したところ、単電子トンネル特性に特徴的なステップ状の波形が観測された。この結果をクーロンブロッケイド理論に基づいて解析し、ステップのしきい値電圧から、ローダミン分子を金属球としたときに電極との間に形成される静電容量を見積もった。また、金属/有機膜界面に形成される空間電荷層が単電子トンネル特性に与える影響を検討した。
抄録(英) An organic single electron tunneling (SET) device is prepared by using a rhodamine-dendrimer (Rh-G2) molecule as small center electrode. The step structure, that is one of the important properties of SET, can be found in the Current-voltage (I-V) characteristics of the devices at a temperature below 35 K. Based on the theory of Coulomb blockade and assuming the rhodamine as metallic droplet, the capacitance formed between the metal and Rh-G2 was estimated from the I-V characteristics. The effect of space charges that exist at the metal/organic film interface on SET characteristic was also discussed.
キーワード(和) 単電子トンネル / ローダミンデンドリマー / クーロンブロッケイド / 界面空間電荷
キーワード(英) single electron tunneling / rhodamine-dendrimer / Coulomb blockade / interfacial space charge
資料番号 OME2001-24
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2001/5/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ローダミン色素分子膜を用いた単電子素子の特性解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analysis of Current-Voltage Characteristics of Single Electron Tunneling Device Using Rhodamine-dendrimer Molecule As a Center Electrode
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 単電子トンネル / single electron tunneling
キーワード(2)(和/英) ローダミンデンドリマー / rhodamine-dendrimer
キーワード(3)(和/英) クーロンブロッケイド / Coulomb blockade
キーワード(4)(和/英) 界面空間電荷 / interfacial space charge
第 1 著者 氏名(和/英) 野口 裕 / Yutaka Noguchi
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 橋詰 和史 / Kazuhito Hashizume
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 久保田 徹 / Tohru Kubota
第 4 著者 所属(和/英) 総務省通信総合研究所関西先端研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
Kansai Advanced Research Center:Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 益子 信郎 / Shinro Mashiko
第 5 著者 所属(和/英) 総務省通信総合研究所関西先端研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
Kansai Advanced Research Center:Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2001/5/25
資料番号 OME2001-24
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 103
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日