| 講演名 | 1999/7/14 超高真空環境下における有機半導体物性 多田 博一, 任田 浩, 高田 正基, 松重 和美, |
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| 抄録(和) | 超高真空環境中でチタニルフタロシアニン薄膜を作成し、半導体特性を「その場」測定した。電解効果トランジスター(FET)を作製してキャリア移動度を測定したところ、超高真空中ではn型特性を示し、その移動度は9x10^<-6>cm^2V^<-1>s^<-1>であった。電気伝導度およびキャリア濃度は、9x10^<-8>Scm^<-1>および6x10^<16>cm^<-3>と計算された。このn型特性は酸素の導入により消失し、正孔が多数キャリアとなってp型特性が現れる。正孔のキャリア移動度は、電子のそれとほぼ同じで1x10^<-5>cm^2V^<-1>s^<-1>であった。p型、n型の発現は、残留ガスの微妙なバランスによって決まる。ある条件下では、キャリアが補償しあい、電気伝導度が小さくなるとともに、p型、n型の特性が同時に現れた。 |
| 抄録(英) | We evaluated the carrier mobility and carrier density of titanyl-phthalocyanine (TiOPc) films under ultrahigh vacuum (UHV) conditions to avoid the influence of gas adsorption. The field effect measurement revealed that TiOPc films exhibited an n-type semiconducting behavior in UHV. The electron mobility at room temperature was 9x10^<-6>cm^2V^<-1>s^<-1> with activation energy of 0.20 eV. The conductivity and carrier density were estimated to be 9x10^<-8>Scm^<-1> and 6x10^<16>cm^<-3>, respectively. When the film was exposed to oxygen, electron conduction disappeared immediately and the holes became the majority carrier. The hole mobility was evaluated to be 1x10^<-5>cm^2V^<-1>s^<-1>. The conduction type of the film was determined by the delicate balance of the residual gas molecules in UHV. At a certain condition, a quasi-intrsinsic state was obtained where both p and n-type conduction appeared simultaneously. |
| キーワード(和) | 有機半導体 / キャリア移動度 / キャリア濃度 / 超高真空 / 電解効果トランジスター |
| キーワード(英) | organic semiconductor / carrier mobility / carrier density / ultrahigh vacuum / field-effect transistor |
| 資料番号 | OME99-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1999/7/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高真空環境下における有機半導体物性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Organic Semiconductors Characterized under Ultrahigh Vacuum Conditions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機半導体 / organic semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | キャリア移動度 / carrier mobility |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア濃度 / carrier density |
| キーワード(4)（和/英） | 超高真空 / ultrahigh vacuum |
| キーワード(5)（和/英） | 電解効果トランジスター / field-effect transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 多田 博一 / Hirokazu TADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 任田 浩 / Hiroshi TOUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高田 正基 / Masaki TAKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松重 和美 / Kazumi MATSUSHlGE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1999/7/14 |
| 資料番号 | OME99-58 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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