講演名 1999/7/14
イオン化蒸着酸化ストロンチウム薄膜による有機EL電子注入層
田中 邦明, 臼井 博明,
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抄録(和) 反応性イオン化蒸着法によって電子注入層として酸化ストロンチウムを成膜し、ITO/PVC_z:p-TPD/Alq/酸化ストロンチウム/Al構造の有機EL素子を作製した。蒸着時のイオン加速電圧が200~500V程度の場合、素子の発光輝度、効率は向上した。しかし過度の加速電圧の印加は、酸化ストロンチウムの成膜状態を変化させ、Alq上を完全に覆うようになり、素子特性を劣化させる要因となった。また素子の寿命特性は、蒸着時のイオン電流に依存し、このときの酸化ストロンチウムはXPS測定の結果からSr金属を含んでいることが示された。素子の特性向上は、イオンの効果による酸化ストロンチウムの成膜状態と組成に関係があると考えられる。
抄録(英) Reactive ionization-assisted deposition was applied for the preparation of strontium oxide as an electron injection layer for organic EL devices in the structure of ITO/PVC_z: p-TPD/Alq/strontium oxide/Al. The device prepared at ion accerelation voltage Va=200~500V showed higher luminance and efficiency than the one prepared at Va=OV. Further increase of Va to 800V resulted in the complete coverage of Alq by strontium oxide and degraded device characteristics. The device life time was improved with increasing ion current Ii. XPS measurement showed the composotion of strontium oxide deposited at high Ii was near strontium metal. These results indicate that the device characteristics are influenced by the structure and composition of strontium oxide and can be controlled by the ionization-assisted deposition.
キーワード(和) 反応性イオン化蒸着法 / 電子注入層 / 酸化ストロンチウム / 有機EL素子 / XPS測定
キーワード(英) reactive ionization-assisted deposition / electron injection layer / strontium oxide / organic EL device / XPS measurement
資料番号 OME99-56
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1999/7/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) イオン化蒸着酸化ストロンチウム薄膜による有機EL電子注入層
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of Strontium Oxide Thin Films as an Electron Injection Layer for Organic EL Devices by Reactive Ionization-Assisted Deposition Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 反応性イオン化蒸着法 / reactive ionization-assisted deposition
キーワード(2)(和/英) 電子注入層 / electron injection layer
キーワード(3)(和/英) 酸化ストロンチウム / strontium oxide
キーワード(4)(和/英) 有機EL素子 / organic EL device
キーワード(5)(和/英) XPS測定 / XPS measurement
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 邦明 / K. Tanaka
第 1 著者 所属(和/英) 東京農工大学工学部応用化学科
Department of Material Systems Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 臼井 博明 / H. Usui
第 2 著者 所属(和/英) 東京農工大学工学部応用化学科
Department of Material Systems Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
発表年月日 1999/7/14
資料番号 OME99-56
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 174
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日