講演名 1999/7/9
イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
高畠 信也, 小林 武, 庄 善之, 和泉 富雄,
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抄録(和) 光音響法を応用して半導体基板に密着した層の熱伝導率を測定する方法を報告する。この方法をSi基板にSiイオン打ち込みをした試料の結晶破壊層の熱伝導率測定に適用し, アニール温度に対する熱伝導率の変化を測定した。500℃以上のアニールで熱伝導率の回復が観測された。またESR信号と比較した結果, アニール温度に対するそれぞれの変化の間に相関が観測された。
抄録(英) A photoacoustic method is proposed to measure the thermal conductivity of semiconducting thin films. The method was applied to measure the thermal conductivity of a disordered layer in Si produced by Si ion implantation into Si substrate and behavior of the thermal conductivity. The thermal conductivity was recovered at an annealing temperature above 500℃. A correlation was observed in behavior of the thermal conductivity and the signal intensity ESR.
キーワード(和) 熱伝導率 / 薄膜 / 光音響法 / PAS
キーワード(英) Thermal conductivity / Thin film / Photoacoustic technique / PAS
資料番号 OME99-46
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1999/7/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Annealing behavior of thermal conductivity of disordered layer produced by ion implantation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 熱伝導率 / Thermal conductivity
キーワード(2)(和/英) 薄膜 / Thin film
キーワード(3)(和/英) 光音響法 / Photoacoustic technique
キーワード(4)(和/英) PAS / PAS
第 1 著者 氏名(和/英) 高畠 信也 / Nobuya TAKABATAKE
第 1 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学
Dept. Electrical and Electronic Engineering, KANAGAWA Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 小林 武 / Takeshi KOBAYASHI
第 2 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学
Dept. Electrical and Electronic Engineering, KANAGAWA Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 庄 善之 / Yoshiyuki SHOW
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学
University of Electro-communications
第 4 著者 氏名(和/英) 和泉 富雄 / Tomio IZUMI
第 4 著者 所属(和/英) 東海大学工学部
Department of. Electronic Engineering, TOKAI University
発表年月日 1999/7/9
資料番号 OME99-46
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 170
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日