講演名 | 1999/7/9 イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性 高畠 信也, 小林 武, 庄 善之, 和泉 富雄, |
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抄録(和) | 光音響法を応用して半導体基板に密着した層の熱伝導率を測定する方法を報告する。この方法をSi基板にSiイオン打ち込みをした試料の結晶破壊層の熱伝導率測定に適用し, アニール温度に対する熱伝導率の変化を測定した。500℃以上のアニールで熱伝導率の回復が観測された。またESR信号と比較した結果, アニール温度に対するそれぞれの変化の間に相関が観測された。 |
抄録(英) | A photoacoustic method is proposed to measure the thermal conductivity of semiconducting thin films. The method was applied to measure the thermal conductivity of a disordered layer in Si produced by Si ion implantation into Si substrate and behavior of the thermal conductivity. The thermal conductivity was recovered at an annealing temperature above 500℃. A correlation was observed in behavior of the thermal conductivity and the signal intensity ESR. |
キーワード(和) | 熱伝導率 / 薄膜 / 光音響法 / PAS |
キーワード(英) | Thermal conductivity / Thin film / Photoacoustic technique / PAS |
資料番号 | OME99-46 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | イオン打ち込みによる結晶破壊層の熱伝導率のアニール特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Annealing behavior of thermal conductivity of disordered layer produced by ion implantation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 熱伝導率 / Thermal conductivity |
キーワード(2)(和/英) | 薄膜 / Thin film |
キーワード(3)(和/英) | 光音響法 / Photoacoustic technique |
キーワード(4)(和/英) | PAS / PAS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高畠 信也 / Nobuya TAKABATAKE |
第 1 著者 所属(和/英) | 神奈川工科大学 Dept. Electrical and Electronic Engineering, KANAGAWA Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小林 武 / Takeshi KOBAYASHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 神奈川工科大学 Dept. Electrical and Electronic Engineering, KANAGAWA Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 庄 善之 / Yoshiyuki SHOW |
第 3 著者 所属(和/英) | 電気通信大学 University of Electro-communications |
第 4 著者 氏名(和/英) | 和泉 富雄 / Tomio IZUMI |
第 4 著者 所属(和/英) | 東海大学工学部 Department of. Electronic Engineering, TOKAI University |
発表年月日 | 1999/7/9 |
資料番号 | OME99-46 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 170 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |