| 講演名 | 1999/5/21 Al薄膜/LB薄膜上に共鳴励起した表面プラズモンによるエバネッセント場の検出とその強度特性 中野 貴之, 小林 肇, 金子 双男, 新保 一成, 加藤 景三, 川上 貴浩, 若松 孝, |
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| 抄録(和) | 本研究では、CdSを塗布した金属針プローブ型の検出装置を用いてAl薄膜、及びAl薄膜/LB薄膜上に共鳴励起した表面プラズモン(SP)によるエバネッセント場の強度特性を調べた。Al薄膜について詳しく測定した結果、SPを共鳴励起する全反射減衰(ATR)特性で反射率のディップがみられるが、エバネッセント場の強度は、ディップ角度より低角度側で強くなっていることが分かった。またAl薄膜上にアラキジン酸LB薄膜の累積層数を増加させると、薄膜近傍に存在するエバネッセント場の強度が減少することも分かった。 |
| 抄録(英) | In this study, evanescent fields on Al thin film or LB thin films on Al thin films caused by resonantly excited surface plasmons (SPs) were evaluated by measuring fluorescent light from a metal needle probe covered with CdS scattering the fields. The attenuated total reflection (ATR) properties were measured for the Al thin film and a dip in the ATR curve was observed at the resonant incident angle of 43.6°. The fluorescent light, that is, the evanescent fields were measured as a function of the incident angle of the laser beam exciting the SPs and as a function of the distance from the surface. The results showed that the intensity was biggest at a lower angle than the resonant angle, and that the intensity decayed exponentially with the distance. It was also observed that the intensities of the fields generating near the LB films on the Al film decreased with numbers of the LB monolayer. |
| キーワード(和) | 表面プラズモン / エバネッセント場 / LB薄膜 / 全反射減衰(ATR)法 |
| キーワード(英) | Surface plasmon / Evanescent field / LB film / ATR method |
| 資料番号 | OME99-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1999/5/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al薄膜/LB薄膜上に共鳴励起した表面プラズモンによるエバネッセント場の検出とその強度特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Evanescent Fields on Al Thin Film/LB Thin Film Caused by Resonantly Excited Surface Plasmons |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面プラズモン / Surface plasmon |
| キーワード(2)（和/英） | エバネッセント場 / Evanescent field |
| キーワード(3)（和/英） | LB薄膜 / LB film |
| キーワード(4)（和/英） | 全反射減衰(ATR)法 / ATR method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 貴之 / Takayuki Nakano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 肇 / Hajime Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / Futao Kaneko |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新保 一成 / Kazunari Shinbo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加藤 景三 / Keizo Kato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 若松 孝 / Takashi Wakamatsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 茨城工業高等専門学校電気工学科 Department of Electrical Engineering, Ibaraki National College of Technology |
| 発表年月日 | 1999/5/21 |
| 資料番号 | OME99-18 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 79 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |