| 講演名 | 1999/4/28 配向成長したオリゴシラン超薄膜の光学特性 石田 謙司, 佐々木 大吾, 堀内 俊寿, 多田 博一, 松重 和美, 遠藤 崇貴, 加固 昌寛, 中平 靖弘, |
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| 抄録(和) | オリゴシラン12量体(DM12)の超薄膜を石英、KBr(001)、KCI(001)基板上に分子線蒸着法により作製し、その表面モフォロジー、分子配向、吸収・発光・励起スペクトルの測定を行った。DM12は、石英基板上で垂直配向して単分子膜を形成するが、KBr 基板上で平行配向した分子軸がKBr<110>に沿うようにエピタキシャル成長した。また、その吸収スペクトルは、石英上ではσ-σ*遷移に起因する鋭い吸収ピークを示すのに対して、KBr上のそれはエピ結晶化による分子間相互作用の変化によリレッドシフトした。 |
| 抄録(英) | The structural and optical characterization of permethyl-dodecasilane(DM12) thin films fablicated by molecular beam deposition on quartz, KBr(001) and KCI(001) was conducted by atomic force microscope and optical spectrometer. DM12 molecules formed a monolayer on quartz with their chains perpendicular to the surface, while DM12 grew epitaxially on KBr and KCI, aligned their long chain axis along the <110> direction of substrate crystals. These films exhibited different optical spectra due to their intermolecular interaction. |
| キーワード(和) | オリゴシラン / 凝集構造 / エピタキシャル成長 / 吸収スペクトル |
| キーワード(英) | Oligosilane / Cohesive Structure / Epitaxial Growth / Absorption Spectrum |
| 資料番号 | OME99-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1999/4/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 配向成長したオリゴシラン超薄膜の光学特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical Characterization of Highly Oriented Oligosilane Ultra Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オリゴシラン / Oligosilane |
| キーワード(2)（和/英） | 凝集構造 / Cohesive Structure |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | 吸収スペクトル / Absorption Spectrum |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 謙司 / K. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 大吾 / D. Sasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀内 俊寿 / T. Horiuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 多田 博一 / H. Tada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松重 和美 / K. Matsushige |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠藤 崇貴 / T. Endo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学化学科 Department of Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 加固 昌寛 / M. Kako |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 電気通信大学化学科 Department of Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中平 靖弘 / Y. Nakadaira |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 電気通信大学化学科 Department of Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 1999/4/28 |
| 資料番号 | OME99-10 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |