講演名 1994/6/20
パーフルオロアルカン蒸着膜のエピタキシャル成長
石田 謙司, 堀内 俊寿, 松重 和美,
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抄録(和) KCl(001)基板上に真空蒸着法による成膜した50nm厚のPerfluoro-n-alkane(n-C_20>F_42>)蒸着膜をエネルギー分散型全反射X線回折装置を用いて評価した。その結果、KCl基板上のn-C_20>F_42>はn-alkaneの場合とは異なり、そのC軸が基板に対して垂直配向しており、その積層構造は鋭い分布を持つこと、さらに面内凝集構造はKCl〈110〉とn-C_20>F_42>〈100,010〉が沿うようにエピタキシャル成長している事がわかった。
抄録(英) The structural evaluation of perfluoro-n-alkane(n-C_20>F_42>) firms vacuum evaporated on to a KCl(001)surface was conducted by the newly developed total reflection x-ray diffractometer.The results revealed that the molecular long chain axis is normal to the substrate with a narrow orientational distribution,and the n-C_ 20>F_42> molecules grow epitaxially on the.KCl(001)surface, arranging their100,010>direction along the110>direction of the KCI crystal.
キーワード(和) エピタキシャル成長 / 面内構造 / パーフルオロアルカン / 薄膜 / X線回折
キーワード(英) Epitaxial growth / In-plane structure / Perfluoro-n-alkane / Thin films / X-ray diffraction
資料番号 OME94-15
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1994/6/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) パーフルオロアルカン蒸着膜のエピタキシャル成長
サブタイトル(和)
タイトル(英) Epitaxial Growth in Vacuum Evaporated Perfluoro-n-alkane Films.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) エピタキシャル成長 / Epitaxial growth
キーワード(2)(和/英) 面内構造 / In-plane structure
キーワード(3)(和/英) パーフルオロアルカン / Perfluoro-n-alkane
キーワード(4)(和/英) 薄膜 / Thin films
キーワード(5)(和/英) X線回折 / X-ray diffraction
第 1 著者 氏名(和/英) 石田 謙司 / Kenji Ishida
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学工学部電子工学教室
Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 堀内 俊寿 / Toshihisa Horiuchi
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学工学部電子工学教室
Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 松重 和美 / Kazumi Matsushige
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学工学部電子工学教室
Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University
発表年月日 1994/6/20
資料番号 OME94-15
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 103
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日