講演名 | 1994/6/20 パーフルオロアルカン蒸着膜のエピタキシャル成長 石田 謙司, 堀内 俊寿, 松重 和美, |
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抄録(和) | KCl(001)基板上に真空蒸着法による成膜した50nm厚のPerfluoro-n-alkane(n-C_20>F_42>)蒸着膜をエネルギー分散型全反射X線回折装置を用いて評価した。その結果、KCl基板上のn-C_20>F_42>はn-alkaneの場合とは異なり、そのC軸が基板に対して垂直配向しており、その積層構造は鋭い分布を持つこと、さらに面内凝集構造はKCl〈110〉とn-C_20>F_42>〈100,010〉が沿うようにエピタキシャル成長している事がわかった。 |
抄録(英) | The structural evaluation of perfluoro-n-alkane(n-C_20>F_42>) firms vacuum evaporated on to a KCl(001)surface was conducted by the newly developed total reflection x-ray diffractometer.The results revealed that the molecular long chain axis is normal to the substrate with a narrow orientational distribution,and the n-C_ 20>F_42> molecules grow epitaxially on the.KCl(001)surface, arranging their100,010>direction along the110>direction of the KCI crystal. |
キーワード(和) | エピタキシャル成長 / 面内構造 / パーフルオロアルカン / 薄膜 / X線回折 |
キーワード(英) | Epitaxial growth / In-plane structure / Perfluoro-n-alkane / Thin films / X-ray diffraction |
資料番号 | OME94-15 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 1994/6/20(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | パーフルオロアルカン蒸着膜のエピタキシャル成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Epitaxial Growth in Vacuum Evaporated Perfluoro-n-alkane Films. |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
キーワード(2)(和/英) | 面内構造 / In-plane structure |
キーワード(3)(和/英) | パーフルオロアルカン / Perfluoro-n-alkane |
キーワード(4)(和/英) | 薄膜 / Thin films |
キーワード(5)(和/英) | X線回折 / X-ray diffraction |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石田 謙司 / Kenji Ishida |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学工学部電子工学教室 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 堀内 俊寿 / Toshihisa Horiuchi |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学工学部電子工学教室 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松重 和美 / Kazumi Matsushige |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学工学部電子工学教室 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Kyoto University |
発表年月日 | 1994/6/20 |
資料番号 | OME94-15 |
巻番号(vol) | vol.94 |
号番号(no) | 103 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |