講演名 1994/1/13
N-ドコシルキノリニウム : TCNQの単分子膜の電気特性
金 禹淵, 久保田 徹, 岩本 光正,
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抄録(和) 熱刺激または光照射を加えたときの変位電流測定からN-ドコシルキノリニウムーTCNQのLB膜の電気特性を調べみた.その結果N-ドコシルキノリニウムーTCNQ単分子膜のアルキルー鎖の配向変化による変位電流のピークが60℃付近で見られた.計算によると熱刺激による60-80℃の温度範囲で双極子モーメントの垂直成分の変化量は約50-150mDと見積もられる.光誘導変位電流は単分子膜内で電子が内部電界の方向に沿って流れる方向と一致した.
抄録(英) We have examined the electrical properties of N-Docosylquinolium- TCNQ LangmuirBlodgett(LB)films by using a displacement-current- measuring technique with thermal stimulation or photoillumination. One displacement current peak appeared at a temperature arround 60℃ ,possibly due to the orientational change in long-alkyle chains of N-Docosylquinolium-TCNQ molecules.The change in the vertical component of dipole moment of the molecules with thermal stimulation in temperature range between 60℃ and 80℃ was 50-l50mD .The photoinduced displacement current was generated across monolayers in the direction of an internal electric field formed in the monolayers.
キーワード(和) 変位電流 / LB膜 / 単分子膜 / 熱刺激電流 / ダイポールモーメント
キーワード(英) Displacement current / Langmuir-Biodgett film / Monolayer film / Monolayer film / Thermally stimulated current / Dipole moment
資料番号 OME93-47,DEI-94-2
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1994/1/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) N-ドコシルキノリニウム : TCNQの単分子膜の電気特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrical properties of single monolayers of N-DoCosylquinolium- TCNQ
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 変位電流 / Displacement current
キーワード(2)(和/英) LB膜 / Langmuir-Biodgett film
キーワード(3)(和/英) 単分子膜 / Monolayer film
キーワード(4)(和/英) 熱刺激電流 / Monolayer film
キーワード(5)(和/英) ダイポールモーメント / Thermally stimulated current
第 1 著者 氏名(和/英) 金 禹淵 / Woo Yeon Kim
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学科
Department of physical Electronics,Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 久保田 徹 / Tooru Kubota
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学科
Department of physical Electronics,Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学電子物理工学科
Department of physical Electronics,Tokyo Institute of Technology
発表年月日 1994/1/13
資料番号 OME93-47,DEI-94-2
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 406
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日