| 講演名 | 1995/7/26 正負イオンビームによる膜合成 藤井 兼栄, 堀野 裕治, 坪内 信輝, 茶谷原 昭義, 木野村 淳, |
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| 抄録(和) | 今回我々は新しい概念のデュアルイオンビーム成膜装置を開発した。この装置は正イオンビームライン、負イオンビームライン、成膜室から成っている。この装置で極低エネルギーの正イオンビーム及び負イオンビームを生成することができ、これらを同時にあるいは交互に基板表面に照射して膜を形成する。使用可能なエネルギーは両イオンビームとも10eVから20keVの範囲である。両イオンビームとも質量分離を行っているので同位体レベルでの超高純度物質を合成することが可能である。また、正負イオンを同じ実験系で用いるので、イオンと固体との相互作用に関する基礎的な知見を得ることができる。 |
| 抄録(英) | We have developed a new concept dual ion beam direct deposition apparatus. The machine consists of a positive ion beam line, a negative ion beam line and an ultra-high vacuum deposition chamber. The machine can generate mass-analyzed very low energy ion beams with positive and negative charges at the same time. It is possible to deposit both ions not only simultaneously but also alternatively. Ion energy range covers 10eV to 20keV. Typical ion beam current is ≧10μA depending on ion species. The machine has a wide possibility to fabricate ultra-pure materials such as metals, semiconductors, insulators and other interesting materials. The machine is also useful to study fundamental processes of ion beam deposition and/or ion solid surface interactions. |
| キーワード(和) | 超高純度材料 / 同位体分離 / デュアルイオンビーム成膜 / 低エネルギーイオンビーム技術 / 負イオンビーム技術 |
| キーワード(英) | Ultra high purity materals / isotope separation / dual ion beam deposition / low enerugy ion beam technology / negative ion beam technology |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1995/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 正負イオンビームによる膜合成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin Film Formation by Positive and Negative Ions Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超高純度材料 / Ultra high purity materals |
| キーワード(2)（和/英） | 同位体分離 / isotope separation |
| キーワード(3)（和/英） | デュアルイオンビーム成膜 / dual ion beam deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 低エネルギーイオンビーム技術 / low enerugy ion beam technology |
| キーワード(5)（和/英） | 負イオンビーム技術 / negative ion beam technology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤井 兼栄 / Kanenaga Fujii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業技術研究所 Osaka National Research Institute, AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀野 裕治 / Yuji Horino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業技術研究所 Osaka National Research Institute, AIST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坪内 信輝 / Nobuteru Tsubouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業技術研究所 Osaka National Research Institute, AIST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 茶谷原 昭義 / Akiyoshi Chayahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業技術研究所 Osaka National Research Institute, AIST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木野村 淳 / Atsushi Kinomura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業技術研究所 Osaka National Research Institute, AIST |
| 発表年月日 | 1995/7/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 187 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |