講演名 1995/7/26
イオン蒸着法によるPTCDA薄膜の形成
田中 邦明, 臼井 博明,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) イオン化蒸着法を用いて、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)薄膜を作製し、イオン電流密度やイオン加速電圧などの蒸着条件と、得られた膜の結晶性、分子配向、電気的特性との関連について調べた。PTCDA薄膜は、(102)面に優先結晶配向しており、分子は基板に平行に配向していることがわかった。また、膜の結晶化度、分子配向には、最適な領域があり、その領域は蒸着時に供給されるエネルギーが0.2~0.5eV程度であるという結果が得られた。同様にPTCDA薄膜の抵抗率も、イオン加速電圧とイオン電流密度により変化し、結晶化度の高い領域で、導電率の異方性が大きくなることが示された。
抄録(英) Thin films of 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) were prepared by ionized beam deposition method. The film deposited showed preferential crystal orientation to (102) plane and the molecules were oriented with the molecular plane in parallel with the substrate surface. Crystal and molecular orientation were enhanced by a proper selection of ion energy in the ionized beam deposition method. The films deposited under such a condition also showed higher anisotropy of electrical conductivity.
キーワード(和) イオン化蒸着法 / PTCDA / 結晶性 / 分子配向 / 導電率異方性
キーワード(英) Ionized beam deposition / PTCDA / Crystal orientation / Molecular orientation / Resistivity anisotropy
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1995/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) イオン蒸着法によるPTCDA薄膜の形成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Deposition of PTCDA Thin Films by Ionized Beam Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) イオン化蒸着法 / Ionized beam deposition
キーワード(2)(和/英) PTCDA / PTCDA
キーワード(3)(和/英) 結晶性 / Crystal orientation
キーワード(4)(和/英) 分子配向 / Molecular orientation
キーワード(5)(和/英) 導電率異方性 / Resistivity anisotropy
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 邦明 / K. Tanaka
第 1 著者 所属(和/英) 東京農工大学工学部
Department of Material Systems Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 臼井 博明 / H. Usui
第 2 著者 所属(和/英) 東京農工大学工学部
Department of Material Systems Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
発表年月日 1995/7/26
資料番号
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 187
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日