| 講演名 | 1995/7/26 分子線およびレーザー照射による光化学反応性分子膜の作製 渕上 宏幸, 中尾 之泰, 谷村 佐知子, 上原 康, 蔵田 哲之, 角田 誠, |
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| 抄録(和) | 膜形成後あるいは膜形成中にKrFエキシマレーザーを照射することによって光異性化反応したビス(エチニルスチリル)ベンゼンの分子線蒸着膜に対して,その結晶性・分子配向などの膜の高次構造を調べた。KBr表面にシス-シス体を成長させ,膜形成後に光を照射した場合,光異性化反応によりトランス-トランス体となったが分子構造の変化により非晶質膜となった。これに対して,膜形成中に光を照射した場合,薄膜作製条件の検討によりトランス-トランス体の結晶性配向薄膜が作製可能となった。このように,薄膜作製と光照射を同時に行うことによって,従来の方法では得られない分子構造と高次構造を有する薄膜が得られることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | We have investigated the structure of the bis(ethynylstyryl)benzene (BESB) films fabricated by a molecular beam deposition in the external photon field induced with KrF excimer laser (λ=248nm). The laser irradiation to the film surface after deposition caused the cis-to-trans photoisomerization and gave amorphous films due to disordering of the molecular arrangement. On the contrary, the photoisomerized trans-trans isomer crystalline films were found to be grown upon the irradiation during deposition at the substrate temperature of 60℃. These results indicate that the applied photon field to the molecular beam during deposition play a significant role in the formation of the highly ordered films. |
| キーワード(和) | ビス(エチニルスチリル)ベンゼン / 光異性化反応 / 分子線蒸着 / 結晶性薄膜 |
| キーワード(英) | bis(ethynylstyryl)benzene / photoisomerization / molecular beam deposition / crystalline film |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1995/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分子線およびレーザー照射による光化学反応性分子膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition with molecular beam and laser irradiation for photochemically reactive molecule |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビス(エチニルスチリル)ベンゼン / bis(ethynylstyryl)benzene |
| キーワード(2)（和/英） | 光異性化反応 / photoisomerization |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線蒸着 / molecular beam deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶性薄膜 / crystalline film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渕上 宏幸 / H. Fuchigami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中尾 之泰 / Y. Nakao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷村 佐知子 / S. Tanimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上原 康 / Y. Uehara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蔵田 哲之 / T. Kurata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 角田 誠 / S. Tsunoda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)材料デバイス研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Materials & Electronic Devices Laboratory |
| 発表年月日 | 1995/7/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 187 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |