講演名 1995/7/26
シリコンナフタロシアニン蒸着膜の構造と光電気特性
上田 裕清, 渡邊 真由美, 柳 久雄, 林田 茂,
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抄録(和) ビスアルキルシロキシシリコンナフタロシアニン誘導体(SiNc)をITOおよびKBr劈開面上に蒸着した。膜の構造をUV-VISスペクトル、X線回折および電子顕微鏡観察により解析した。SiNc化合物はITO上で多結晶膜を形成し、KBr劈開面上では高度に配向成長した。SiNc膜を薄膜電極とする湿式太陽電池(ITO/SiNc/I_3^-,I^-/Pt)の性能パラメータは、膜中の分子配向制御により向上した。
抄録(英) Bis(alkylsiloxy)2, 3-naphthalocyaninatosilicon derivatives (SiNc) were vapor-deposited on an ITO glass and a cleavage surface of KBr. Structures of a deposited film were investigated by means of UV-VIS spectroscopy, X-ray diffractmetry and electron microscopic observation. SiNc films deposited on an ITO glass were composed of randomly-oriented crystallites. The films deposited on a KBr substrate, on the other hand, grew epitaxially. The photoelectrochemical measurements of the films were performed in cells of the configuration ITO/SiNc/I_3^-, I^-/Pt. The photovoltaic parameters of SiNc films were improved by the control of molecular orientation in the film.
キーワード(和) エピタキシー / シリコンナフタロシアニン / 光電変換特性
キーワード(英) epitaxy / silicon phthalocyanine / photovoltaic properties
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1995/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコンナフタロシアニン蒸着膜の構造と光電気特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Structure and Photovoltaic Properties of Silicon Naphthalocyanine Thin Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) エピタキシー / epitaxy
キーワード(2)(和/英) シリコンナフタロシアニン / silicon phthalocyanine
キーワード(3)(和/英) 光電変換特性 / photovoltaic properties
第 1 著者 氏名(和/英) 上田 裕清 / Y. Ueda
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部応用化学科
Faculty of Engineering Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 渡邊 真由美 / M. Watanabe
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部応用化学科
Faculty of Engineering Kobe University
第 3 著者 氏名(和/英) 柳 久雄 / H. Yanagi
第 3 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部応用化学科
Faculty of Engineering Kobe University
第 4 著者 氏名(和/英) 林田 茂 / S. Hayashida
第 4 著者 所属(和/英) 日立化成工業(株)茨城研究所
Hitachi Chem. Co. Ltd.
発表年月日 1995/7/26
資料番号
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 187
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日