| 講演名 | 1995/7/26 有機EL薄膜の全反射X線回折法とAFMによる構造評価 折田 賢児, 林 好一, 堀内 俊寿, 松重 和美, |
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| 抄録(和) | 有機ELの劣化原因の1つとしてアモルファス有機薄膜の結晶化が考えられているが、これはAFM観察により間接的に確認されているだけであった。今回、全反射X線回折計(TXRD)を用いることにより、有機EL薄膜の結晶化を初めて直接的に観測した。実験は薄膜試料にアニーリングを施しながら、TXRDで構造変化を追跡した。また、アニーリング処理温度による薄膜表面のモフォロジー変化をAFMにより観察した。TPD単層膜は100℃付近から結晶化を始めた。一方、Alq_3単層膜ではアニーリング処理によっても、アモルファス構造は変化しなかった。しかし、Alq_3/TPD2層膜では、TPDだけでなくAlq_3も結晶化することが観測された。 |
| 抄録(英) | A total reflection X-ray diffractometer (TXRD) was employed to reveal first and conclusively the crystalization of organic materials for organic electroluminescent(EL) diodes during an annealing process. Morphological changes were evaluated by Atomic force microscpopy (AFM). Examined here were TPD, Alq_3 and TPD/Alq_3 films vacuum-deposited on SiO_2 glass substrates. During annealing, a single-layered sample of TPD changed amorphous to crystalline, while that of Alq_3 remained amorphous structure. In the case of the double-layered sample, however, the upper Alq_3 layer changed to crystalline as well as the underneath TPD one. |
| キーワード(和) | 有機EL / TPD / Alq_3 / 構造変化 / 全反射X線回折計 / AFM |
| キーワード(英) | Organic EL / TPD / Alq_3 / Structural cahnge / TXRD / AFM |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1995/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機EL薄膜の全反射X線回折法とAFMによる構造評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Evaluation of Organic EL Thin Films by TXRD and AFM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL / Organic EL |
| キーワード(2)（和/英） | TPD / TPD |
| キーワード(3)（和/英） | Alq_3 / Alq_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 構造変化 / Structural cahnge |
| キーワード(5)（和/英） | 全反射X線回折計 / TXRD |
| キーワード(6)（和/英） | AFM / AFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 折田 賢児 / Kenji Orita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 好一 / Kouichi Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀内 俊寿 / Toshihisa Horiuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松重 和美 / Kazumi Matsushige |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1995/7/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 187 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |