| 講演名 | 1996/7/5 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察 中村 雅一, 森田 行則, 徳本 洋志, |
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| 抄録(和) | 平坦な水素終端Si(111)上でのCuPc薄膜成長の初期過程をMBE-STM複合装置等を用いて調べた。その結果、基板温度60℃においては、単分子層相当の吸着量では分子は無秩序に吸着しており数分子層吸着すると基板面内で規則的な2次元格子を組む、また、基板温度140℃以上では成長の極初期から高さ10nm以上の結晶核が発生し、他の領域では分子はまばらに吸着していることが判った。このことは、分子カラムが膜厚方向に数分子層以上成長することが面内の規則的な配列のための必要条件であることを示唆する。一方、表面格子の対称性および物理吸着系であることが同じであるMoS_2基板上においては、規則的な2次元配列を持つ単分子膜が観察された。この違いは分子の表面拡散に対するエネルギー障壁の違いにより説明できる。 |
| 抄録(英) | Initial stages of CuPc thin-film growth on hydrogen-terminated flat Si(111) were studied with MBE-STM and other complementary techniques. The molecules were found to adsorb on the surface randomly at 60℃ when the coverage was one monolayer, and to be ordered when the coverage became a few monolayers. At higher temperature (≧140℃) crystal nuclei were observed from the very beginning of the growth and the remaining area was not fully covered by the molecule. These suggest that stucking of the molecules for more than a few monolayers is necessary to form ordered two dimensional lattice on this surface in contrast to the case on MoS_2 where well-ordered monolayer was formed at 50℃. The different growth behavior can be explained by the difference of the migration barriers on these two surfaces. |
| キーワード(和) | シリコン / 水素終端 / フタロシアニン / 分子配列 / STM / AFM |
| キーワード(英) | silicon / hydrogen-termination / phthalocyanine / molecular arrangement / STM / AFM |
| 資料番号 | OME96-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1996/7/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning Probe Microscopy Observation of CuPc Molecular Arrangement on Hydrogen-Terminated Si(111) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 水素終端 / hydrogen-termination |
| キーワード(3)（和/英） | フタロシアニン / phthalocyanine |
| キーワード(4)（和/英） | 分子配列 / molecular arrangement |
| キーワード(5)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(6)（和/英） | AFM / AFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | アトムテクノロジー研究体(JRCAT)オングストロームテクノロジ研究機構 Angstrom Technology Partnership, Joint Research Center for Atom Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori Morita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | アトムテクノロジー研究体(JRCAT)オングストロームテクノロジ研究機構 Angstrom Technology Partnership, Joint Research Center for Atom Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳本 洋志 / Hiroshi Tokumoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術融合領域研究所 National Institute for Advanced Interdisciplinary Research |
| 発表年月日 | 1996/7/5 |
| 資料番号 | OME96-36 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 143 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |