講演名 | 1996/7/5 フラーレンエピタキシャル薄膜の高分解能電子エネルギー損失分光 藤川 安仁, 小間 篤, |
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抄録(和) | MoS_2及びSi(111)7×7基板上にエピタキシャル成長したフラーレン(C_<60>, C_<70>)薄膜の成長初期過程の解明を高分解能電子エネルギー分光法(HREELS)により試みた。その結果、MoS_2壁開面及びSi(111)7×7表面上の第一層目のC_<60>分子が、基板表面とそれぞれ特異な相互作用をしていることが明らかになった。また、C_<70>単分子膜の分子の向きがMoS_2壁開面及びSi(111)7×7表面で異なり、その分子の向きが第2層目以降のC_<70>の成長における分子の向きを決定していることが明らかになった。 |
抄録(英) | The initial state of the growth of fullerene (C_<60> and C_<70>) epitaxial films on MoS_2 and Si(111)7×7 surface was investigated by using high-resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS). The interaction between C_<60> molecules and MoS_2 or Si(111)7×7 surface are clarified. It is revealed that the arrangement of the C_<70> molecules on MoS_2 and Si(111)7×7 surface were different each other and this arrangement determined the arrangements of C_<70> molecules of upper layers. |
キーワード(和) | フラーレン / 分子線エピタキシー法 / HREELS / 界面 / 分子配向 |
キーワード(英) | Fullerenes / Molecular Beam Epitaxy / HREELS / Interface / Arrangement of Molecules |
資料番号 | OME96-34 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 1996/7/5(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | フラーレンエピタキシャル薄膜の高分解能電子エネルギー損失分光 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy on Fullerene Epitaxial Films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フラーレン / Fullerenes |
キーワード(2)(和/英) | 分子線エピタキシー法 / Molecular Beam Epitaxy |
キーワード(3)(和/英) | HREELS / HREELS |
キーワード(4)(和/英) | 界面 / Interface |
キーワード(5)(和/英) | 分子配向 / Arrangement of Molecules |
第 1 著者 氏名(和/英) | 藤川 安仁 / Yasunori Fujikawa |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院理学系研究科化学専攻 Department of Chemistry, School of Science, University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小間 篤 / Atsushi Koma |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院理学系研究科化学専攻:郵政省通信総合研究所関西支所ナノ機構研究室 Department of Chemistry, School of Science, University of Tokyo:Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
発表年月日 | 1996/7/5 |
資料番号 | OME96-34 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 143 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |