講演名 1996/7/5
エネルギー分散型X線反射率測定による有機EL薄膜のその場構造変化観測
折田 賢児, 山本 泰典, 林 好一, 堀内 俊寿, 松重 和美,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 有機ELにおける劣化の原因として電極の腐食、有機物の変質、界面の変化などが挙げられているが、劣化機構は未だ不明の部分が多い。そこで我々は当研究室で開発したエネルギー分散型斜入射X線反射率測定法(ED-GIXR)を用い、有機EL薄膜の膜厚、密度、表面・界面粗さを動的に評価した。反射率測定は、大気中で60℃の熱アニーリングと同時に行った。TPD/SiではTPDが凝集することにより基板との密着性が増し、不連続膜になることが「その場」で測定された。熱的に安定なAlq_3/SiもAlq_3が表面・界面でナノレベルの変化をしていることが分かった。さらにAl/Alq_3/Siの多層膜でも反射率測定により膜構造を評価することができた。
抄録(英) Degradation mechanism of organic electroluminescence (EL) diodes has not been clear, although several reasons are speculated such as corrosion of metal cathodes, changes in organic materials and interfaces. Here, by the energy-dispersive grazing-incidence X-ray reflectivity (ED-GIXR) measuring system recently developed in our laboratory, we conducted for the first time dynamical evaluation for the characteristics of organic EL films; film thickness, density and roughness of interfaces. In situ measurements were carried out during an annealing processes at 60℃ in atmosphere, revealing that a TPD film was condensed to adhere more closely to the Si substrate and to be discontinuous, and the Alq_3 film on the Si substrate, which material is known to be thermally stable, also changed their interfaces microscopically. Moreover, multi-layer Al/Alq_3/Si films could be successfully analyzed by the ED-GIXR.
キーワード(和) 有機EL / TPD / Alq_3 / 膜構造変化 / エネルギー分散型斜入射X線反射率測定
キーワード(英) Organic EL / TPD / Alq_3 / Structural change / ED-GIXR
資料番号 OME96-27
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1996/7/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) エネルギー分散型X線反射率測定による有機EL薄膜のその場構造変化観測
サブタイトル(和)
タイトル(英) In-situ observation of structural change in organic EL thin films by ED-GIXR
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機EL / Organic EL
キーワード(2)(和/英) TPD / TPD
キーワード(3)(和/英) Alq_3 / Alq_3
キーワード(4)(和/英) 膜構造変化 / Structural change
キーワード(5)(和/英) エネルギー分散型斜入射X線反射率測定 / ED-GIXR
第 1 著者 氏名(和/英) 折田 賢児 / Kenji Orita
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科電子物性工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 泰典 / Yasunori Yamamoto
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科電子物性工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 林 好一 / Kouichi Hayashi
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科電子物性工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 堀内 俊寿 / Toshihisa Horiuchi
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科電子物性工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
第 5 著者 氏名(和/英) 松重 和美 / Kazumi Matsushige
第 5 著者 所属(和/英) 京都大学工学研究科電子物性工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
発表年月日 1996/7/5
資料番号 OME96-27
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 143
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日