| 講演名 | 1997/1/28 有機EL素子材料の劣化機構とその対策 中西 直也, 前田 昭徳, 落合 鎮康, 大橋 朝夫, 高橋 欣弘, 小嶋 憲三, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 有機EL材料としてポピュラーなTPDとAlq_3蒸着膜の劣化機構について, X線光電子分光法および質量分析法を用いて検討した. これらの分子は蒸着時の加熱により一部が熱的に分子切断を生じる. この切断点は活性種(ラジカル)として蒸着膜中に残存し, 気中に取り出された時点から酸素の攻撃を受け酸化劣化反応が進行することを明かにした. 蒸着温度の上昇により分子の切断や酸化が促進することが確認され, また蒸着直後に導入するガスを空気からオゾン化した空気に変更することにより大きく影響されることも認められた. そのガスを他のものに変更することにより酸化が抑えられないか検討した. |
| 抄録(英) | Both the XPS and mass analysis techniques were applied to clarify the deterioration mechanism of the vacuum evaporated films. TPD and Alq3 were investigated as typical constituent materials of the organic EL device. Some of these molecules were decomposed with heat in a evaporation process. The dangling bonds (radicals)remain for a long time in the evaporated films and act as an attack point of successive oxidation when they were exposed to air. The effects of evaporation temperatures and break gases on the deterioration process were discussed, respectively. |
| キーワード(和) | 電界発光 / 劣化 / 真空蒸着膜 / 自動酸化過程 / Alq_3 / TPD |
| キーワード(英) | electroluminescence / deterioration / vacuum evaporation film / autoxidation process / Alq_3 / TPD |
| 資料番号 | OME96-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/1/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機EL素子材料の劣化機構とその対策 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deterioration Mechanism of Organic EL Materials and a Preventive Measure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界発光 / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 劣化 / deterioration |
| キーワード(3)（和/英） | 真空蒸着膜 / vacuum evaporation film |
| キーワード(4)（和/英） | 自動酸化過程 / autoxidation process |
| キーワード(5)（和/英） | Alq_3 / Alq_3 |
| キーワード(6)（和/英） | TPD / TPD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中西 直也 / N Nakanishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 昭徳 / A Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 落合 鎮康 / S Ochiai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大橋 朝夫 / A Ohashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 欣弘 / Y Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小嶋 憲三 / K Kojima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/1/28 |
| 資料番号 | OME96-91 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 502 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |