講演名 1997/1/28
MBE法により各種基板上に作製されたVOPc薄膜の形態評価
朱 留存, 武田 仁志, 川島 早由里, 古橋 秀夫, 吉川 俊夫, 前田 昭徳, 落合 鎮康, 内田 悦行, 小嶋 憲三, 大橋 朝夫, 家田 正之, 水谷 照吉,
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抄録(和) 分子線エピタキシー装置を用いて作製された薄膜の分子の配列および配向性の制御と結晶の大面積化の条件を検討した. 具体的には, 分子線エピタキシー装置により配列および配向制御が比較的容易で, 二次, 三次非線形光学定数の大きいフタロシアニン誘導体を用い非線形光学薄膜の作製とその形態評価および薄膜の大面積化を試みた. 熱安定性に優れた有機非線形光学性材料のフタロシアニン蒸着薄膜の配向, 配列をX線回折, 走査型電子顕微鏡(SEM), 原子間力顕微鏡(AFM)による結晶構造の評価, 紫外・可視吸収スペクトル(UV/VIS)測定から, 所定の条件で作製された薄膜がエピタキシャル成長していることを示した. 膜のサイズについては, 2×2×0.5μmの結晶作製に成功している.
抄録(英) In this paper, nonlinear optical thin films were produced on KBr by molecular beam epitaxy (MBE).The orientation and alignment of vanadyl-phthalocyanine (VOPc) molecules and the conditions to produce a large crystal with epitaxial growth have been investigated. The orientation and alignment of VOPc molecules in a thin film produced by a MBE method was easily controlled and its film had large 2nd and 3rd large nonlinear optical constants. VOPc thin films produced by the MBE method were studied by X-ray diffraction, optical absorption spectra in visible and infrared regions, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The VOPc thin film evaporated on KBr under a certain producing condition was epitaxially grown, The size of epitaxially grown film was 2×2×0.5μm under an optimum condition.
キーワード(和) MBE / エピタキシー / 二次・三次非線形光学定数 / バナジルフタロシアニン
キーワード(英) MBE / Vanadyl-Phthalocyanine / Nonlinear optical constant / Epitaxy
資料番号 OME96-87
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1997/1/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MBE法により各種基板上に作製されたVOPc薄膜の形態評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Characterization of Vanadyl-Phthalocyanine Thin Film Grown on KBr and Muscovite Substrates by Molecular Beam Epitaxy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MBE / MBE
キーワード(2)(和/英) エピタキシー / Vanadyl-Phthalocyanine
キーワード(3)(和/英) 二次・三次非線形光学定数 / Nonlinear optical constant
キーワード(4)(和/英) バナジルフタロシアニン / Epitaxy
第 1 著者 氏名(和/英) 朱 留存 / L Zhu
第 1 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 2 著者 氏名(和/英) 武田 仁志 / H Takeda
第 2 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 3 著者 氏名(和/英) 川島 早由里 / S Kawashima
第 3 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 4 著者 氏名(和/英) 古橋 秀夫 / H Furuhashi
第 4 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 5 著者 氏名(和/英) 吉川 俊夫 / T Yoshikawa
第 5 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 6 著者 氏名(和/英) 前田 昭徳 / A Maeda
第 6 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 7 著者 氏名(和/英) 落合 鎮康 / S Ochiai
第 7 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 8 著者 氏名(和/英) 内田 悦行 / Y Uchida
第 8 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 9 著者 氏名(和/英) 小嶋 憲三 / K Kojima
第 9 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 10 著者 氏名(和/英) 大橋 朝夫 / A Ohashi
第 10 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 11 著者 氏名(和/英) 家田 正之 / M Ieda
第 11 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Dept, of Elect, Eng., Aichi Inst, Tech.
第 12 著者 氏名(和/英) 水谷 照吉 / T Mizutani
第 12 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学部
Dept. of Elect, Eng., Nagoya Univ.
発表年月日 1997/1/28
資料番号 OME96-87
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 502
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日