| 講演名 | 1997/1/28 OHラジカル注入によって形成したダイヤモンド薄膜のSTM/STS解析 村田 和哉, 伊藤 昌文, 堀 勝, 平松 美根男, 後藤 俊夫, |
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| 抄録(和) | OHラジカル注入RF CH_3OHプラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の表面電子状態を超高真空中の走査型トンネル顕微鏡(STM)と走査型トンネル分光法(STS)を用いて調べた. その結果, マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の表面電子構造がp型を示すのに対して, このダイヤモンド薄膜はn型を示した. また, 上記のCVDによるダイヤモンド薄膜の初期成長も調べた. このダイヤモンド表面のSTS測定によりバンドギャップを求め, その違いからダイヤモンドの核とその他(下地)の部分の区別に成功した. そして, 下地がアモルファスカーボンであることが分かった. |
| 抄録(英) | Electronic structure at a surface of diamond film synthesized by a RF CH_3OH plasma CVD with OH radical injection has been investigated. The electronic structure was characterized by using scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS) in an ultra high vacuum (UHV) condition. As a result. the electronic structure was identified as an n-type electronic structure at the surface, where that of diamond films synthesized by a microwave plasma CVD were p-type. Moreover, in the initial growth of diamond, diamond nuclei was successfully distinguished from the underlaying layer by using STS. Consequently, the underlaying layer was identified as amorphous carbon. |
| キーワード(和) | 走査型トンネル顕微鏡 / 走査型トンネル分光法 / ダイヤモンド / RFプラズマCVD / 初期成長 |
| キーワード(英) | STM / STS / diamond / RF plasma CVD / initial growth |
| 資料番号 | OME96-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1997/1/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | OHラジカル注入によって形成したダイヤモンド薄膜のSTM/STS解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STM/STS analysis of diamond films prepared by OH radical injection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / STM |
| キーワード(2)（和/英） | 走査型トンネル分光法 / STS |
| キーワード(3)（和/英） | ダイヤモンド / diamond |
| キーワード(4)（和/英） | RFプラズマCVD / RF plasma CVD |
| キーワード(5)（和/英） | 初期成長 / initial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村田 和哉 / Kazuya Murata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University, |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 昌文 / masafumi Ito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀 勝 / masaru Hori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 美根男 / Mineo Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学 Meijo Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 後藤 俊夫 / Toshio Goto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1997/1/28 |
| 資料番号 | OME96-85 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 502 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |