| 講演名 | 1998/3/6 アナログ階調強誘電性液晶表示素子 松居 恵理子, 松澤 伸行, 安田 章夫, |
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| 抄録(和) | 超微粒子含有系強誘電性液晶におけるしきい電圧の拡がりは、スメクティック層傾斜角の分布により説明づけられた。またマイクロドメインの拡張は、超微粒子の存在によって抑制される。階調数を低減させる履歴現象は、配向膜の導電性を向上させることによって低減できた。スイッチング時における構造変化を、カルボニル基とピリミジン骨格の時間分解IRピークの波数シフトから検討した。分子軌道計算により、これらの波数シフトは、周囲の環境の誘電率の局所的な変化に起因すると示唆された。さらに、スイッチング時の配向状態は、SmC^*相であるにも関わらず、N^*相と類似であることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | The broadening threshold-voltage distribution realized by a novel gray-scale technique is explained as due to an increase in the smectic-layer tilt angles. It was found that microdomain growth is pinned by nanometer-scale particles.Hysteresis was reduced by increasing the conductivity of the alignment layers. The structural changes during switching were investigated by measuring the time-resolved shifts of the FT-IR peaks of the carbonyl group and the pyrimidine skeleton. Molecular orbital calculations suggest that the shifts of these groups in the IR peak can be attributed to changes in the local dielectric constants of the ambient environment. Orientation during switching in the SmC^* phase was found to be similar to that in the N^* phase. |
| キーワード(和) | マイクロドメイン構造 / ヒステリシス / 時間分解FT-IR |
| キーワード(英) | microdomain structure / hysteresis / time-resolved FT-IR |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1998/3/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アナログ階調強誘電性液晶表示素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analog Gray-Scale Technique for Ferroelectric Liquid Crystal Displays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロドメイン構造 / microdomain structure |
| キーワード(2)（和/英） | ヒステリシス / hysteresis |
| キーワード(3)（和/英） | 時間分解FT-IR / time-resolved FT-IR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松居 恵理子 / E Matsui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)中央研究所 Sony Research Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松澤 伸行 / N Matsuzawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)中央研究所 Sony Research Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安田 章夫 / A Yasuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)中央研究所 Sony Research Center |
| 発表年月日 | 1998/3/6 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 589 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |