| 講演名 | 1998/3/6 負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価 中園 祐司, 高木 敏行, 一ノ瀬 秀男, 沢田 温, 苗村 省平, |
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| 抄録(和) | 残留DC現象に対して、液晶層内のイオンによる電極分極だけでなく、配向膜、液晶層の配向分極まで含めたモデルを示し、このモデルに基づいて負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価を行った。配向分極モデルのシミュレーションより、配向膜の比抵抗値が1.0×10^<14>[Ωcm]よりも大きくなると配向分極による残留DCが影響を与えることが示され、実験により検証された。また、比抵抗値の低い配向膜においては、液晶層中にイオンを取り込みにくい液晶材料が、比抵抗の高い配向膜に対しては、液晶層中にイオンを取り込みやすい液晶材料が残留DCを小さくすることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Residual DC phenomenon of LC cell is explained by using not only space charge polarization in LC layer but also orientation polarization of alignment layers and LC layer, then LC materials with negative dielectric anisotropy is evaluated based on this model. From simulation for orientation polarization annd experiments, it was found that residual DC by orientation polarization become considerable when specific resistively of alignment material is greater than 1.0×10^<14>[Ωcm].Then properties of LC materials necessary for low residual DC values are discussed for various values of specific resistively of alignment layer. |
| キーワード(和) | 液晶材料 / 残留DC / イオン / 分極 |
| キーワード(英) | liquid crystal material / residual DC / ion / polarization |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1998/3/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 負の誘電異方性を有する液晶材料の残留DC特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Residual DC evaluation of LC Materials with Negative Dielectric Anisotropy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液晶材料 / liquid crystal material |
| キーワード(2)（和/英） | 残留DC / residual DC |
| キーワード(3)（和/英） | イオン / ion |
| キーワード(4)（和/英） | 分極 / polarization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中園 祐司 / Yuji Nakazono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 敏行 / Toshiyuki Takagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 一ノ瀬 秀男 / Hideo Ichinose |
| 第 3 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 沢田 温 / Atsushi Sawada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 苗村 省平 / Shohei Naemura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 発表年月日 | 1998/3/6 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 589 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |