講演名 1997/11/21
テトラカルボキシバナジルフタロシアニンLB膜の作製と電気特性
福井 昭圭, 古橋 秀夫, 吉川 俊夫, 前田 昭徳, 落合 鎮康, 内田 悦行, 小嶋 憲三, 大橋 朝夫, 家田 正之,
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抄録(和) 膜構造と電気特性を研究するために異なる側鎖を持つ2種類のバナジルフタロシアニンLB膜を作製した。1つはテトラ-カルボキシバナジルフタロシアニン (TC-VOPc) で、もう1つはテトラ-ターシャリーブチルバナジルフタロシアニン (TTB-VOPc) である。両フィルムは非晶質で分子は基板に対し斜立することがわかった。また、紫外・可視吸収におけるQバンドは側鎖分子に依存している。これは電気伝導が分子の堆積の仕方に強く影響を受けることを示唆する。さらにTC-VOPcの暗電流は湿度に対して感度を有している。しかし、TTB-VOPcの暗電流は感度を示さない。この結果を側鎖分子の親水性が関与するイオン伝導機構に基づいて検討した。
抄録(英) Two kinds of vanadyl phthalocyanine LB films with different side chain were prepared on qualtz substrates to investigate film structures and electrical properties. One is tetra-carboxy vanadyl phthalocyanine (TC-VOPc) and the other is tetra-t-butyl vanadyl phthalocyanine (TTB-VOPc). It became known that both films were amorphous and these molecules stood oblique on the substrate. The Q band in UV-VIS absorption depended on the side chain compounds suggesting that it is affected by the molecular stacking considerably. The dark current of TC-VOPc film had sensitivity to humidity. However, that of TTB-VOPc film had no sensitivity. These results were discussed on the basis of ionic conduction mechanism concerning to the hydrophilic radical in the side chain.
キーワード(和) カルボキシル / ブチル / バナジルフタロシアニン / LB膜 / 紫外可視吸収スペクトル / 湿度
キーワード(英) carboxyl / butyl / vanadyl phthalocyanie / LB film / Humidity
資料番号 OME97-97
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 1997/11/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) テトラカルボキシバナジルフタロシアニンLB膜の作製と電気特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and Electrical Properties of Tetra-Carboxy Vanadyl Phthalocyanine LB Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) カルボキシル / carboxyl
キーワード(2)(和/英) ブチル / butyl
キーワード(3)(和/英) バナジルフタロシアニン / vanadyl phthalocyanie
キーワード(4)(和/英) LB膜 / LB film
キーワード(5)(和/英) 紫外可視吸収スペクトル / Humidity
キーワード(6)(和/英) 湿度
第 1 著者 氏名(和/英) 福井 昭圭 / A. Fukui
第 1 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 古橋 秀夫 / H. Furuhashi
第 2 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 吉川 俊夫 / T. Yoshikawa
第 3 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 前田 昭徳 / A. Maeda
第 4 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 落合 鎮康 / S. Ochiai
第 5 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 内田 悦行 / Y. Uchida
第 6 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 小嶋 憲三 / K. Kojima
第 7 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 8 著者 氏名(和/英) 大橋 朝夫 / A. Ohashi
第 8 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
第 9 著者 氏名(和/英) 家田 正之 / M. Ieda
第 9 著者 所属(和/英) 愛知工業大学
Aichi Institute of Technology
発表年月日 1997/11/21
資料番号 OME97-97
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 394
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日