| 講演名 | 1997/10/14 化合物半導体の副格子交換エピタキシーとその波長変換素子への応用 近藤 高志, 黄 晋二, 伊藤 良一, |
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| 抄録(和) | ドメイン反転した化合物半導体をエピタキシャルに成長する技術を新たに提案した。基板とエピタキシャル膜の間に極薄いN族半導体の中間層を挿入することにより, 副格子交換した, すなわち空間反転したエピタキシャル膜を成長することができる。この副格子交換エピタキシーをGaAs/Si/GaAs(100)の系で実際に適用し, 実際に空間反転が起こっていることを確認した。現状では, この副格子交換エピタキシーはアンチフェイズドメインの自己消滅によって実現しているものと考えられる。 |
| 抄録(英) | A novel epitaxial growth technique, sublattice inversion epitaxy, for growing domain-inverted compound semiconductors has been proposed. Growth of sublattice-inverted epitaxial films is achieved by inserting a thin group-IV semiconductor intermediate layer between the epitaxial layer and the substrate. Sublattice inversion epitaxy is demonstrated in the GaAs/Si/GaAs (100) system and confirmed by structural analyses and optical second-harmonic generation measurements. The present sublattice inversion seems to be assisted by self annihilation of antiphase domains generated at Si/GaAs interfaces. |
| キーワード(和) | ドメイン反転 / 化合物半導体 / 副格子交換 / エピタキシー / 非線形光学 / 波長変換 |
| キーワード(英) | Domain inversion / Compound semiconductors / Sublattice inversion / Epitaxy / Noninear optics / Frequency conversion |
| 資料番号 | OME97-82-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1997/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 化合物半導体の副格子交換エピタキシーとその波長変換素子への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Sublattice Inversion Epitaxy in Compound Semiconductors and Its Application to Wavelength Conversion Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドメイン反転 / Domain inversion |
| キーワード(2)（和/英） | 化合物半導体 / Compound semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | 副格子交換 / Sublattice inversion |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシー / Epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 非線形光学 / Noninear optics |
| キーワード(6)（和/英） | 波長変換 / Frequency conversion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 高志 / Takashi KONDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部物理工学科 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黄 晋二 / Shinji KOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部物理工学科 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 良一 / Ryoichi ITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部物理工学科 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1997/10/14 |
| 資料番号 | OME97-82-94 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 311 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |