| 講演名 | 1997/9/26 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御 中村 雅一, 徳本 洋志, |
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| 抄録(和) | [110]方向に約4゜傾斜したSi (001) ウエハを、超高真空中で平坦化および水素終端化させて形成した、約4nm周期のステップ列を有する表面に、分子線蒸着によって平均膜厚約20nmの銅フタロシアニン膜を成長させた。基板温度140℃では、非常に大きな帯状の結晶がまばらに成長するが、基板温度60℃では、膜厚分布が16.5±2.5分子層の範囲にはいる連続的な膜が成長した。後者の膜においては、90%の領域で分子カラムがステップ列を横切る方向に配回していることが摩擦力顕微鏡によって確認された。この選択配向は、硬いフタロシアニン結晶と微傾斜基板表面との間のストライプ状の「有効接触領域」によって形成される、一種の人工格子によるものであると考えられる。 |
| 抄録(英) | Copper phthalocyanine thin films were deposited on a hydrogen-terminated vicinal Si (001) surface which contained atomic step rows of around 4nm period. Very large belt-like crystals were sparsely grown at the substrate temperature 140℃, and a continuous film of which thickness was distributed within 16.5±2.5 molecular layers was grown at 60℃. 90% of the molecular columns were estimated to be aligned to across the step rows in the 60℃ film by observing a frictional force image. These preferential orientation was considered to be due to a kind of artificial surface lattices which were formed with the striped 'effective contact area' between the rigid phthalocyanine crystals and the vicinal surfaces. |
| キーワード(和) | シリコン / 水素終端 / フタロシアニン / 微傾斜基板 / 結晶配向 / AFM |
| キーワード(英) | silicon / hydrogen-termination / phthalocyanine / vicinal surface / crystal orientation / AFM |
| 資料番号 | OME97-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Orientational Control of Copper Phthalocyanine Thin Films on Hydrogen-Terminated Si (001) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 水素終端 / hydrogen-termination |
| キーワード(3)（和/英） | フタロシアニン / phthalocyanine |
| キーワード(4)（和/英） | 微傾斜基板 / vicinal surface |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶配向 / crystal orientation |
| キーワード(6)（和/英） | AFM / AFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | アトムテクノロジー研究体(JRCAT)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部 Joint Research Center for Atom Technology Angstrom Technology Partnership:(Present address)Toray Research Center, Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳本 洋志 / Hiroshi Tokumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | アトムテクノロジー研究体(JRCAT)産業技術融合領域研究所 Joint Research Center for Atom Technology National Institute for Advanced Interdisciplinary Research |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | OME97-74 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 289 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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