| 講演名 | 1997/7/4 高感度・漏れ出力低減を目指したLiTaO_3圧電ジャイロの実験的検討 若月 昇, 田中 浩, 小野 正明, |
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| 抄録(和) | 本研究は, 高感度・漏れ出力低減を目指した新H形LiTaO_3圧電ジャイロについて, これまでの有限要素法解析に基づく提案を実験的に確認したものである. 本構成は, 従来の音さ形振動子を対称に接続した構成である. LiTaO_3の大きな電気機械結合係数と電極配置の工夫により, 駆動f_x modeでは上部音さのみが振動する. 検出f_z modeでは上下の音さが共振するので, コリオリカにより上部に生じる振動を下部で検出できる構造となっている. 駆動, 検出のQ値は20000, 6000と従来の音さ形LTジャイロとほぼ同じであるが, 駆動の共振抵抗は5kΩと低い. 漏れ出力は, 漏れ調整なしで, 伝達関数として総合的に-86dB, Δ f=400Hzにおいて感度はf_d=14.9kHz, 1V_ |
| 抄録(英) | In this paper, we experimentally demonstrate the new H-type LiTaO_3 piezoelectric gyroscope with high sensitivity and low leakage output. It consists of an upper fork, a long rectangular median coupler and a lower fork. The new arrangement succeeds to vibrate only an upper fork in f_x mode but to vibrate both upper and lower forks in f_z mode, due to the high electromechanical coefficient of LiTaO_3 crystal. The Q values of f_x and f_z modes are 20,000 and 6,000. The null signal due to the electrostatic leakage, the electromechanical leakage and mechanical leakage coupling, were suppressed totally less than -86dB. In spite of the Δ f=400Hz, the sensitivity went up to 0.1lmV/(°/sec) driven 1 V_ |
| キーワード(和) | 圧電振動ジャイロ / 角速度センサ / LiTaO_3 / 漏れ出力 / 新H形振動子 |
| キーワード(英) | Piezoelectric vibratory gyroscope / Angular rate sensor / LiTaO_3 / Leakage coupling / New H-type resonator |
| 資料番号 | OME97-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高感度・漏れ出力低減を目指したLiTaO_3圧電ジャイロの実験的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The New H-type LiTaO_3 Piezoelectric Gyroscope with High Sensitivity and Low Leakage Output |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 圧電振動ジャイロ / Piezoelectric vibratory gyroscope |
| キーワード(2)（和/英） | 角速度センサ / Angular rate sensor |
| キーワード(3)（和/英） | LiTaO_3 / LiTaO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 漏れ出力 / Leakage coupling |
| キーワード(5)（和/英） | 新H形振動子 / New H-type resonator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若月 昇 / Noboru Wakatsuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 石巻専修大学・理工 Department of Electronics and Materials, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 浩 / Hiroshi Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 石巻専修大学・理工 Department of Electronics and Materials, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 正明 / Masaaki Ono |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通(株)須坂工場プロセス技術部 Susaka Plant, Fujitsu Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | OME97-46 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 151 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |