| 講演名 | 1997/5/20 金属-フタロシアニン系LB膜界面の電子性準位のエネルギー分布 小久保 晴夫, 正力 重仁, 伊東 栄次, 岩本 光正, |
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| 抄録(和) | 電極金属にCuttbPc LB膜を累積すると、金属とLB膜の間で電荷の授受が発生する。我々は表面電位法を用いて電極界面で電荷の授受により発生した膜電位の膜厚依存性を真空中・暗所で測定した。仕事関数の異なる電極(Au,Al,Cr)上にLB膜を累積し、金属よりLB膜内に移動した電荷の空間電荷密度分布を表面電位の膜厚依存性から求めた。また、この結果を用いて界面近傍の電子状態のエネルギー分布と膜内部の電位分布を決定した。 |
| 抄録(英) | Surface potential of Cu-tetra-tert-butyl-phthalocyanine(CuttbPc) Langmuir Blodgett(LB) films on metal(Au, Cr and Al) electrodes were measured in a dark vacuum vessel as a function of the number of deposited layers at temperatures of -100℃, 20℃ and 100℃. Then the distribution of spatial excess charge density in CuttbPc LB films was determined. The distribution of electronic density of states were also determined. |
| キーワード(和) | LB膜 / 表面電位 / 空間電荷密度 / 電子性準位 |
| キーワード(英) | LB film / Surface Potential / Spatial Charge Density / Electronic state |
| 資料番号 | OME97-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 1997/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属-フタロシアニン系LB膜界面の電子性準位のエネルギー分布 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Distribution of Electronic State at the Metal/Phthalocyanine derivative LB film interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LB膜 / LB film |
| キーワード(2)（和/英） | 表面電位 / Surface Potential |
| キーワード(3)（和/英） | 空間電荷密度 / Spatial Charge Density |
| キーワード(4)（和/英） | 電子性準位 / Electronic state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小久保 晴夫 / Haruo Kokubo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 正力 重仁 / Sigeto Syoriki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 光正 / Mitumasa Iwamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/5/20 |
| 資料番号 | OME97-21 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |