| 講演名 | 2002/9/24 Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 上野 弘明, 神保 聡, 河野 博昭, 森川 慶一, 中山 範明, 三浦 道子, マタウシュ ハンス・ユルゲン, |
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| 抄録(和) | 高周波動作時のMOSFETにおいては,電圧変化に対するキャリアの応答に遅れが生じる.この応答遅延は有限のキャリア走行時間に起因しており,キャリアのcharging timeにも影響を及ぼす。回路シミュレーションでは,これまでこのキャリア応答遅延は現象論的なRC遅延として記述されてきた.しかし,この記述方法では,等価回路の複雑化により各回路要素のパラメタ抽出が困難になることが既に報告されている.これに代わる方法として我々は高周波応答を表すYパラメタを電流連続方程式と電流密度方程式を連立させて解くことで解析してきた.この方法は物理原理に基づいているので,MOSFETの高周波動作時の現象のエッセンスを抽出することができる. |
| 抄録(英) | Under high-frequency operation, carriers in a MOSFET cannot response immediately to the bias change, but cause delay. This delayed carrier response is caused by the carrier transit time, requiring also capacitive charging time. Up to now this is described phenomenologically with RC delays. The main problem is the difficulty to extract these element values keeping their origin. We intend to extract the essence of phenomena observed under high-frequency condition through analyzing Y-parameters. The Y-parameter calculations are realized by solving the continuity equation together with the current density equation. |
| キーワード(和) | MOSFET / Yパラメタ / non-quasistatic効果 / ドリフト-拡散近似 |
| キーワード(英) | MOSFET / Y-parameter / non-quasistatic effect / drift-diffusion approximation |
| 資料番号 | VLD2002-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2002/9/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of High-Frequency Characteristics Description for MOSFETs by Y-parameters |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Yパラメタ / Y-parameter |
| キーワード(3)（和/英） | non-quasistatic効果 / non-quasistatic effect |
| キーワード(4)（和/英） | ドリフト-拡散近似 / drift-diffusion approximation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上野 弘明 / Hiroaki UENO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神保 聡 / Satoshi JINBOU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河野 博昭 / Hiroaki KAWANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森川 慶一 / Keiichi MORIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 範明 / Noriaki NAKAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三浦 道子 / Mitiko MIURA-MATTAUSCH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | マタウシュ ハンス・ユルゲン / Hans Juergen MATTAUSCH |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2002/9/24 |
| 資料番号 | VLD2002-75 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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