講演名 | 2002/9/23 TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 三浦 規之, 小松原 弘毅, 望月 麻理恵, 林 洋一, 福田 浩一, |
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抄録(和) | TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ開発手法について述べる。特に低オフリーク版をターゲットとして、0.35 um/2.5Vから0.15 um/1.5Vヘシュリンク・電源電圧低減を行った。完全空乏型SOIトランジスタ開発において、SOI膜厚ばらつき・寄生チャネルリーク・寄生抵抗・基板浮遊効果などを考慮したTCAD検討が短TAT(turn around time)開発の鍵である。 |
抄録(英) | We present a TCAD-driven total design methodology of FD-SOI MOSFETs, starting from 0.35 um/2.5V shrinking to 0.15 um/1.5 V. Jumping from 0.35 um to 0.15 um, two-phase experiments are performed effectively supported by exhaustive applications of TCAD local models. SOI specific consideration of SOI film thickness variations (oTsoi) and floating-body effects are the key points for the TCAD driven strategy. |
キーワード(和) | 完全空乏型SOI / 寄生チャネルリーク / 寄生抵抗 / 基板浮遊効果 / 低消費電力 |
キーワード(英) | Fully-depleted SOI / Parasitic channel leakage / Parasitic resistance / Floating-body effect / Low power |
資料番号 | VLD2002-66 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | TCAD Driven Process Design of Fully-Depleted SOI Transistor |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 完全空乏型SOI / Fully-depleted SOI |
キーワード(2)(和/英) | 寄生チャネルリーク / Parasitic channel leakage |
キーワード(3)(和/英) | 寄生抵抗 / Parasitic resistance |
キーワード(4)(和/英) | 基板浮遊効果 / Floating-body effect |
キーワード(5)(和/英) | 低消費電力 / Low power |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三浦 規之 / Noriyuki MIURA |
第 1 著者 所属(和/英) | 沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小松原 弘毅 / Hirotaka KOMATSUBARA |
第 2 著者 所属(和/英) | 沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 望月 麻理恵 / Marie MOCHIZUKI |
第 3 著者 所属(和/英) | 沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 林 洋一 / Hirokazu HAYASHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 福田 浩一 / Koichi FUKUDA |
第 5 著者 所属(和/英) | 沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
発表年月日 | 2002/9/23 |
資料番号 | VLD2002-66 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 344 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |