| 講演名 | 2002/9/23 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 河本 章宏, 佐藤 伸吾, 大村 泰久, |
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| 抄録(和) | サブ100nmチャネル長領域においては、ソース・ドレインにおける横方向の不純物分布がデバイス特性に強く影響を与えると考えられる。本報告ではデバイスシミュレーションを用いてチャネル内最大電子速度(V_max)としきい値電圧(V_th)を導出して不純物の横方向分布がもたらす影響について検討した結果を述べる。横方向への不純物拡散は特にチャネル長20nm領域でデバイス特性に大きく影響を及ぼすことが示される。横拡散長の最適化を行った結果、デバイス縮小によって与えられる正味の性能向上が限定的であることが示される。また、high-k材料やSb,Inといった新しい不純物原子の導入が不可欠であることも述べる。 |
| 抄録(英) | This paper investigates how the lateral diffusion extent (L_ld) of source and drain regions influences device characteristics of short-channel SOI MOSFETs. Since L_ld-scaling involves a trade-off between the maximal carrier velocity (V_max) and the threshold voltage (V_th), the optimization of L_ld is indispensable. However, even after L_ld is optimized in some way, it is found that the net performance advancement offered by device-scaling is quite limited. It follows that in designing sub-100 nm SOI devices, high-k material and new doping materials, such as Sb or In, should be introduced. |
| キーワード(和) | SOI MOSFET / 接合技術 / 短チャネル効果 / DIBL / high-k材料 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | VLD2002-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of Lateral Diffusion of Source and Drain for Sub-100-nm Channel Silicon-on-insulator MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 接合技術 |
| キーワード(3)（和/英） | 短チャネル効果 |
| キーワード(4)（和/英） | DIBL |
| キーワード(5)（和/英） | high-k材料 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 章宏 / Akihiro KAWAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 伸吾 / Shingo SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大村 泰久 / Yasuhisa OMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部:関西大学ハイチクリサーチセンター Faculty of Engineering, Kansai University:High-Technology Research Center |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | VLD2002-65 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |