| 講演名 | 2001/9/20 STARCにおける物理設計技術開発の課題と活動 増田 弘生, 原 浩幸, 南 文裕, 丸山 貴司, 藤本 愼一, |
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| 抄録(和) | 微細CMOSプロセスによって大規模・高機能SoC(System on a Chip)が実現可能となってきた。しかしその実現に大きく立ちはだかってきたのがSI(Signal Integrity)すなわち物理的な電磁現象が信号の品質に与える影響である。信号の高周波化オンチップ・インダクタンス効果、微細信号配線クロストーク、電源配線のIRドロップ等がSoC設計の重要な課題となってきた。STARCでは、TEGを中心としたSIの詳細計測を基礎に物理設計技術の研究開発を推進している。 |
| 抄録(英) | Highly functional and high-performance SoC becomes practical target with scaled CMOS process available. However, classical physical mechanism, enhanced by small dimension process, becomes increasingly critical issues in terms of Signal Integrity (SI) design. On-chip interconnect L (inductance) under high frequency operation, crosstalk and IR drop on power grids, all of these physical design can be bottle-neck in a practical SoC development. STARC attacks this design problems with Test Structure fabricated updated process and intensive experiments on the SI phenomena. |
| キーワード(和) | SoC(System on a Chip) / 信号品質 / TEG(Test Element Group) / STARC / 物理設計技術 |
| キーワード(英) | SoC(System on a Chip) / SI(Signal Integrity) / TEG(Test Element Group) / STARC / Physical Design |
| 資料番号 | VLD2001-72,SDM2001-146 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2001/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STARCにおける物理設計技術開発の課題と活動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Physical Design Technology at STARC: Target and Activities |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SoC(System on a Chip) / SoC(System on a Chip) |
| キーワード(2)（和/英） | 信号品質 / SI(Signal Integrity) |
| キーワード(3)（和/英） | TEG(Test Element Group) / TEG(Test Element Group) |
| キーワード(4)（和/英） | STARC / STARC |
| キーワード(5)（和/英） | 物理設計技術 / Physical Design |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 弘生 / Hiroo MASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原 浩幸 / Hiroyuki HARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 文裕 / Fumihiro MINAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸山 貴司 / Atsushi MARUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤本 愼一 / Shinichi FUJIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC) |
| 発表年月日 | 2001/9/20 |
| 資料番号 | VLD2001-72,SDM2001-146 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 318 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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