| 講演名 | 2001/9/20 MOSFET高周波等価回路についての検証 河野 博昭, 西澤 学, 上野 弘明, 大城 誠和, 三浦 道子, |
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| 抄録(和) | デバイスシミュレーションによるMOSFETの高周波特性から高周波等価回路のパラメータ抽出を行い、基板部分の抵抗がゲート長によって変化するという結果が得られた。この事からMOSFETの高周波動作の物理特性として基板の記述が重要な意味を持つと考え、基板部分の抵抗を3つに分けた新しい等価回路を提案し、解析を行った。その結果、ゲート長の減少に伴いソース・ドレインのjunctionと基板との間の抵抗が減少することがわかった。また、測定値からのパラメータ抽出も行い、提案した等価回路および基板抵抗のゲート長依存性の検証を行った。 |
| 抄録(英) | The parameter extractions for high frequency MOSFET equivalent circuit were performed by using the high frequency characteristics by device simulations. The bulk resistance reduction with decreasing the gate length was observed. Since this result shows that it is important the describe the bulk resistance with physical accuracy, we proposed the new equivalent circuit in which the bulk resistance was divided into three resistances, and analyzed the extracted results. Then it is observed that the resistances between source/drain junctions and bulk decrease with decreasing the gate length. Additionally, the parameter extractions from the measurement results were also performed, and the proposed equivalent circuit and gate length dependence of the bulk resistances were verified. |
| キーワード(和) | MOSFET / 高周波等価回路 / 基板抵抗 / Yパラメータ |
| キーワード(英) | MOSFET / high frequency equivalent circuit / bulk resistance / Y parameter |
| 資料番号 | VLD2001-71,SDM2001-145 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2001/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFET高周波等価回路についての検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Verification for high frequency MOSFET equivalent circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波等価回路 / high frequency equivalent circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 基板抵抗 / bulk resistance |
| キーワード(4)（和/英） | Yパラメータ / Y parameter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河野 博昭 / Hiroaki KAWANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西澤 学 / Manabu NISHIZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上野 弘明 / Hiroaki UENO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大城 誠和 / Seiwa OOSHIRO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三浦 道子 / Mitiko MIURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter |
| 発表年月日 | 2001/9/20 |
| 資料番号 | VLD2001-71,SDM2001-145 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 318 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |