講演名 2001/9/20
MOSFET高周波等価回路についての検証
河野 博昭, 西澤 学, 上野 弘明, 大城 誠和, 三浦 道子,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) デバイスシミュレーションによるMOSFETの高周波特性から高周波等価回路のパラメータ抽出を行い、基板部分の抵抗がゲート長によって変化するという結果が得られた。この事からMOSFETの高周波動作の物理特性として基板の記述が重要な意味を持つと考え、基板部分の抵抗を3つに分けた新しい等価回路を提案し、解析を行った。その結果、ゲート長の減少に伴いソース・ドレインのjunctionと基板との間の抵抗が減少することがわかった。また、測定値からのパラメータ抽出も行い、提案した等価回路および基板抵抗のゲート長依存性の検証を行った。
抄録(英) The parameter extractions for high frequency MOSFET equivalent circuit were performed by using the high frequency characteristics by device simulations. The bulk resistance reduction with decreasing the gate length was observed. Since this result shows that it is important the describe the bulk resistance with physical accuracy, we proposed the new equivalent circuit in which the bulk resistance was divided into three resistances, and analyzed the extracted results. Then it is observed that the resistances between source/drain junctions and bulk decrease with decreasing the gate length. Additionally, the parameter extractions from the measurement results were also performed, and the proposed equivalent circuit and gate length dependence of the bulk resistances were verified.
キーワード(和) MOSFET / 高周波等価回路 / 基板抵抗 / Yパラメータ
キーワード(英) MOSFET / high frequency equivalent circuit / bulk resistance / Y parameter
資料番号 VLD2001-71,SDM2001-145
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2001/9/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOSFET高周波等価回路についての検証
サブタイトル(和)
タイトル(英) Verification for high frequency MOSFET equivalent circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET
キーワード(2)(和/英) 高周波等価回路 / high frequency equivalent circuit
キーワード(3)(和/英) 基板抵抗 / bulk resistance
キーワード(4)(和/英) Yパラメータ / Y parameter
第 1 著者 氏名(和/英) 河野 博昭 / Hiroaki KAWANO
第 1 著者 所属(和/英) 広島大学大学院 先端物質科学研究科
Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter
第 2 著者 氏名(和/英) 西澤 学 / Manabu NISHIZAWA
第 2 著者 所属(和/英) 広島大学大学院 先端物質科学研究科
Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter
第 3 著者 氏名(和/英) 上野 弘明 / Hiroaki UENO
第 3 著者 所属(和/英) 広島大学大学院 先端物質科学研究科
Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter
第 4 著者 氏名(和/英) 大城 誠和 / Seiwa OOSHIRO
第 4 著者 所属(和/英) 広島大学大学院 先端物質科学研究科
Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter
第 5 著者 氏名(和/英) 三浦 道子 / Mitiko MIURA
第 5 著者 所属(和/英) 広島大学大学院 先端物質科学研究科
Hiroshima University, Graduate School of Advanced Sciences of Matter
発表年月日 2001/9/20
資料番号 VLD2001-71,SDM2001-145
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 318
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日